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FR10J

更新时间： 2024-01-15 06:17:56
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THINKISEMI 二极管光电二极管功效
页数 文件大小 规格书
2页 521K
描述
10.0 Ampere Surface Mount Round Lead Fast Recovery Rectifier Diodes

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FR10J 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：DO-214AB包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.36应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AB
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.5 µs
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

FR10J 数据手册

 浏览型号FR10J的Datasheet PDF文件第2页 
FR10A thru FR10M  
FR10A thru FR10M  
Pb Free Plating Product  
10.0 Ampere Surface Mount Round Lead Fast Recovery Rectifier Diodes  
Unit:inch(millimeter)  
Features  
OUTLINE  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
For surface mounted application  
H
Low profile package  
Cathode Band  
Built-in strain relief  
Ideal for automated placement  
Easy pick and place  
J
Fast recovery time for high efficiency  
Plastic material used carries Underwriters  
Laboratory Classification 94V-0  
ꢀ
A
C
E
D
B
F
G
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
MM  
Mechanical Data  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.214  
0
0.203  
0.005  
0.02  
0.056  
0 .179  
0.322  
0.243  
0.240  
MIN  
5.08  
4.70  
0.05  
---  
1.20  
4.27  
7.85  
6.08  
5.95  
MAX  
5.43  
5.30  
0.13  
0.51  
1.42  
4.55  
8.18  
6.18  
6.10  
NOTE  
.200  
0
.177  
0
Cases: HSMC(Round Lead)/SME Pkg  
ꢀ
0.002  
---  
0.047  
0.168  
0.309  
0.239  
0.234  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Terminals: Pure tin plated, lead free.  
Polarity: Indicated by cathode band  
Packing: Tape&Reel  
F
G
H
J
HSMC/SMC-W/SMCE  
Weight: 0.093 gram approximately  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25  
ambient temperature unless otherwise specified.  
℃
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
Symbol  
Type Number  
FS10A FS10B FS10D FS10G FS10J FS10K FS10M  
Units  
Maximum Recurrent Peak Reverse  
Voltage  
VRRM  
50  
100  
200 400  
600 800 1000  
420 560 700  
600 800 1000  
V
Maximum RMS Voltage  
35  
50  
70  
140 280  
200 400  
V
V
VRMS  
VDC  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward Rectified  
Current See Fig. 1  
10.0  
300  
1.3  
A
A
V
I(AV)  
IFSM  
VF  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms  
Single Half Sine-wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC method )  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
@ 8.0A  
Maximum DC Reverse Current  
o
10  
50  
uA  
uA  
@TA =25 C at Rated DC Blocking Voltage  
o
IR  
@ TA=100 C  
Maximum Reverse Recovery Time  
( Note 1 )  
Trr  
nS  
150  
45  
250  
30  
500  
pF  
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )  
Cj  
Maximum Thermal Resistance (Note 3)  
RθJA  
75  
20  
℃/W  
R
θJL  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
℃
℃
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
1. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A  
2. Measured at 1 MHz and Applied VR=4.0 Volts  
Notes:  
3. Units Mounted on P.C.B. 0.4” x 0.4” (10mm x 10mm) Pad Areas  
Page 1/2  
http://www.thinkisemi.com/  
Rev.07C  
© 2006 Thinki Semiconductor Co., Ltd.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FR10JP MCC

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