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FP10R12KE3

更新时间： 2024-02-05 07:37:28

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	218K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23

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FP10R12KE3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23	针数：	23
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X23	元件数量：	7
端子数量：	23	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	55 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	481 ns
标称接通时间 (ton)：	80 ns	VCEsat-Max：	2.45 V
Base Number Matches：	1

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FP10R12KE3

Vorläufig

Preliminary

Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch)

Transfer characteristic Inverter (typical)

I_C= f (V_GE

V_CE= 20 V

)

Tj = 25°C

Tj = 125°C

V_GE[V]

Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) I_F= f (V_F)

Forward characteristic of FWD Inverter (typical)

Tj = 25°C

Tj = 125°C

0,5

1,5

2,5

V_F[V]

6(12)

1...3 4 567 8 9...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FP10R12NT3	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPIM-23	获取价格
FP10R12W1T3	EUPEC	IGBT-modules	获取价格
FP10R12W1T4	INFINEON	EasyPIM™ Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und	获取价格
FP10R12W1T4_B11	INFINEON	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter	获取价格
FP10R12W1T4_B3	INFINEON	EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC	获取价格
FP10R12W1T4B11BOMA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22	获取价格