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FM18W08

更新时间： 2024-01-28 10:28:18
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
12页 325K
描述
256Kb Wide Voltage Bytewide F-RAM

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FM18W08 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOP, SOP28,.4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
Factory Lead Time：1 week风险等级：2.18
最长访问时间：80 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e3长度：17.9 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8混合内存类型：N/A
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.67 mm
最大待机电流：0.00005 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.012 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

FM18W08 数据手册

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Pre-Production  
FM18W08  
256Kb Wide Voltage Bytewide F-RAM  
Features  
SRAM & EEPROM Compatible  
JEDEC 32Kx8 SRAM & EEPROM pinout  
70 ns Access Time  
256Kbit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
Organized as 32,768 x 8 bits  
High Endurance 100 Trillion (1014) Read/Writes  
38 year Data Retention  
130 ns Cycle Time  
NoDelay™ Writes  
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process  
Low Power Operation  
Wide Voltage Operation 2.7V to 5.5V  
12 mA Active Current  
20 A (typ.) Standby Current  
Superior to BBSRAM Modules  
No Battery Concerns  
Monolithic Reliability  
Industry Standard Configuration  
Industrial Temperature -40 C to +85 C  
28-pin “Green”/RoHS SOIC Package  
True Surface Mount Solution, No Rework Steps  
Superior for Moisture, Shock, and Vibration  
Resistant to Negative Voltage Undershoots  
Description  
Pin Configuration  
The FM18W08 is a 256-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or F-RAM is  
nonvolatile but operates in other respects as a RAM.  
It provides data retention for 38 years while  
eliminating the reliability concerns, functional  
disadvantages and system design complexities of  
battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing  
and high write endurance make F-RAM superior to  
other types of nonvolatile memory.  
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WE  
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A4  
A11  
OE  
7
A3  
In-system operation of the FM18W08 is very similar  
to other RAM devices. Minimum read- and write-  
cycle times are equal. The F-RAM memory, however,  
is nonvolatile due to its unique ferroelectric memory  
process. Unlike BBSRAM, the FM18W08 is a truly  
monolithic nonvolatile memory. It provides the same  
functional benefits of a fast write without the  
disadvantages associated with modules and batteries  
or hybrid memory solutions.  
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CE  
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A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
These capabilities make the FM18W08 ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes in a bytewide environment. The  
availability of a true surface-mount package improves  
the manufacturability of new designs. Device  
specifications are guaranteed over an industrial  
temperature range of -40°C to +85°C.  
Ordering Information  
FM18W08-SG  
28-pin “Green” SOIC  
This is a product in the pre-production phase of development. Device characterization is complete and Ramtron does not expect to  
change the specifications. Ramtron will issue a Product Change Notice if any specification changes are made.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-86207 Rev. **  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised February 25, 2013  
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与FM18W08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM18W08-SG RAMTRON

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 		256Kb Wide Voltage Bytewide F-RAM
FM18W08-SG CYPRESS

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 		256Kb Wide Voltage Bytewide F-RAM
FM18W08-SG INFINEON

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 		铁电存储器 (F-RAM)
FM18W08-SGTR INFINEON

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 		铁电存储器 (F-RAM)
FM190 RECTRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AC,
FM1901-7PAF BEL

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 		DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 50W, Hybrid, METAL, CASE M02, MODULE
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