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FM18W08

更新时间： 2024-02-09 02:20:37
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON /
页数 文件大小 规格书
11页 333K
描述
256Kb Wide Voltage Bytewide F-RAM

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FM18W08 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOP, SOP28,.4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
Factory Lead Time：1 week风险等级：2.18
最长访问时间：80 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e3长度：17.9 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8混合内存类型：N/A
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.67 mm
最大待机电流：0.00005 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.012 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

FM18W08 数据手册

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Pre-Production  
FM18W08  
256Kb Wide Voltage Bytewide F-RAM  
Features  
SRAM & EEPROM Compatible  
256Kbit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
JEDEC 32Kx8 SRAM & EEPROM pinout  
70 ns Access Time  
130 ns Cycle Time  
Organized as 32,768 x 8 bits  
High Endurance 100 Trillion (1014) Read/Writes  
38 year Data Retention  
NoDelay™ Writes  
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process  
Low Power Operation  
Wide Voltage Operation 2.7V to 5.5V  
12 mA Active Current  
20 A (typ.) Standby Current  
Superior to BBSRAM Modules  
No Battery Concerns  
Monolithic Reliability  
True Surface Mount Solution, No Rework Steps  
Superior for Moisture, Shock, and Vibration  
Resistant to Negative Voltage Undershoots  
Industry Standard Configuration  
Industrial Temperature -40C to +85C  
28-pin “Green”/RoHS SOIC Package  
Description  
Pin Configuration  
The FM18W08 is a 256-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or F-RAM is  
nonvolatile but operates in other respects as a RAM.  
It provides data retention for 38 years while  
eliminating the reliability concerns, functional  
disadvantages and system design complexities of  
battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing  
and high write endurance make F-RAM superior to  
other types of nonvolatile memory.  
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A11  
OE  
7
A3  
In-system operation of the FM18W08 is very similar  
to other RAM devices. Minimum read- and write-  
cycle times are equal. The F-RAM memory, however,  
is nonvolatile due to its unique ferroelectric memory  
process. Unlike BBSRAM, the FM18W08 is a truly  
monolithic nonvolatile memory. It provides the same  
functional benefits of a fast write without the  
disadvantages associated with modules and batteries  
or hybrid memory solutions.  
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CE  
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DQ5  
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DQ3  
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DQ0  
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DQ2  
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VSS  
These capabilities make the FM18W08 ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes in a bytewide environment. The  
availability of a true surface-mount package improves  
the manufacturability of new designs. Device  
specifications are guaranteed over an industrial  
temperature range of -40°C to +85°C.  
Ordering Information  
FM18W08-SG  
28-pin “Green” SOIC  
This is a product in the pre-production phase of development. Device  
characterization is complete and Ramtron does not expect to change  
the specifications. Ramtron will issue a Product Change Notice if any  
specification changes are made.  
Ramtron International Corporation  
1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921  
(800) 545-FRAM, (719) 481-7000  
http://www.ramtron.com  
Rev. 2.0  
Dec. 2011  
Page 1 of 11  
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与FM18W08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM18W08-SG RAMTRON

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 		256Kb Wide Voltage Bytewide F-RAM
FM18W08-SG CYPRESS

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 		256Kb Wide Voltage Bytewide F-RAM
FM18W08-SG INFINEON

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FM1901-7PAF BEL

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