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FGB20N6S2D PDF预览

FGB20N6S2D

更新时间： 2024-09-29 22:29:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体二极管开关晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 227K
描述
600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

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FGB20N6S2D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：TO-263AB, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：28 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：105 ns
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：205 ns标称接通时间 (ton)：11.5 ns

FGB20N6S2D 数据手册

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July 2002  
FGH20N6S2D / FGP20N6S2D / FGB20N6S2D  
600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode  
General Description  
Features  
The FGH20N6S2D FGP20N6S2D, FGB20N6S2D are Low  
Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs  
combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs  
along with lower gate charge, plateau voltage and high  
avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten  
delay times, and reduce the power requirement of the gate  
drive. These devices are ideally suited for high voltage  
switched mode power supply applications where low  
conduction loss, fast switching times and UIS capability are  
essential. SMPS II LGC devices have been specially  
designed for:  
• 100kHz Operation at 390V, 7A  
• 200kHZ Operation at 390V, 5A  
• 600V Switching SOA Capability  
o
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 85ns at TJ = 125 C  
• Low Gate Charge . . . . . . . . . 30nC at V = 15V  
GE  
• Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical  
• UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mJ  
• Low Conduction Loss  
•
•
•
•
•
•
Power Factor Correction (PFC) circuits  
Full bridge topologies  
Half bridge topologies  
Push-Pull circuits  
Uninterruptible power supplies  
Zero voltage and zero current switching circuits  
• Low E  
on  
• Soft Recovery Diode  
IGBT (co-pack) formerly Developmental Type TA49332  
(Diode formerly Developmental Type TA49469)  
Symbol  
Package  
C
TO-247  
E
C
E
TO-220AB  
C
G
G
TO-263AB  
G
G
E
E
COLLECTOR (FLANGE)  
Device Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
BV  
Parameter  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Collector Current Continuous, T = 25°C  
Ratings  
600  
Units  
V
CES  
I
28  
A
C25  
C
I
Collector Current Continuous, T = 110°C  
13  
A
C110  
C
I
Collector Current Pulsed (Note 1)  
Gate to Emitter Voltage Continuous  
Gate to Emitter Voltage Pulsed  
40  
A
CM  
V
±20  
V
GES  
GEM  
V
±30  
V
SSOA  
Switching Safe Operating Area at T = 150°C, Figure 2  
35A at 600V  
100  
A
J
E
Pulsed Avalanche Energy, I = 7.0A, L = 4mH, V = 50V  
mJ  
W
AS  
CE  
DD  
P
Power Dissipation Total T = 25°C  
125  
D
C
Power Dissipation Derating T > 25°C  
1.0  
W/°C  
°C  
°C  
C
T
Operating Junction Temperature Range  
Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
J
T
STG  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
NOTE:  
1. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FGH20N6S2D / FGP20N6S2D / FGB20N6S2D Rev. A1  
1234567...9

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FGB20N6S2D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SGS23N60UFDTU FAIRCHILD

功能相似

 High speed switching
STGD7NB60KT4 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 600V 7A TO-220/TO-220FP/DPAK/D2PAK POWERMESH IGBT
HGT1S7N60C3D FAIRCHILD

功能相似

 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

与FGB20N6S2D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FGB20N6S2DT FAIRCHILD

获取价格

 		600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
FGB20N6S2T FAIRCHILD

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 		暂无描述
FGB2EJ104C++2CL5 AISHI

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