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FESF16CT

更新时间： 2024-10-02 02:58:15
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THINKISEMI 超快速恢复二极管局域网瞄准线
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描述
16.0 Ampere Insulated Package Positive Ultra Fast Recovery Rectifier Diode

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FESF16CT 数据手册

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FESF16AT thru FESF16NT  
Pb Free Plating Product  
FESF16AT thru FESF16NT  
16.0 Ampere Insulated Package Positive Ultra Fast Recovery Rectifier Diode  
ITO-220AC(TO-220F-2L)  
Unit:inch(mm)  
Features  
.419(10.66)  
.387(9.85)  
※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED  
※ Low forward voltage drop  
※ High current capability  
.196(5.00)  
.163(4.16)  
.167(3.73)  
.122(3.10)  
.118(3.00)  
.079(2.00)  
※
Low reverse leakage current  
※ High surge current capability  
Application  
※ Automotive Inverters and Solar Inverters  
※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems  
※ Plating Power Supply,Motor Control,UPS and SMPS etc.  
.038(0.96)  
.019(0.50)  
.025(0.65)MAX  
Mechanical Data  
※
※
Case:ITO-220AC(TO-220F-2L) fully plastic isolated package  
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
.1(2.54)  
.1(2.54)  
※ Terminals: Solderable per MIL-STD-202 method 208  
※ Polarity: As marked on diode body  
※ Mounting position: Any  
Internal Configuration  
※ Weight: 2.0 gram approximately  
Negative  
Positive  
Suffix "T"  
Suffix "TR"  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
FESF16AT  
FESF16ET  
FESF16FT  
FESF16GT  
FESF16HT  
FESF16IT  
FESF16JT  
FESF16KT  
FESF16LT  
FESF16BT  
FESF16CT  
FESF16DT  
PARAMETER  
SYMBOL  
FESF16MT  
FESF16NT  
UNIT  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
1200  
840  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
1000  
1200  
Maximum Average Forward Rectified  
Current TC=125℃  
16.0  
300  
IF(AV)  
IFSM  
A
A
V
(Total Device 16.0A)  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single Half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC  
method)(Per Diode/Per Leg)  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
@16.0A(Per Diode/Per Leg)  
VF  
(Typical)  
1.50-1.70  
0.85-0.95  
1.00-1.25  
1.25-1.50  
Maximum DC Reverse Current @TJ=25℃  
At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125℃  
1.0  
100  
μA  
μA  
IR  
Maximum Reverse Recovery Time (Note1)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
25-50  
50-75  
Trr  
CJ  
nS  
pF  
160  
3.0  
RθJC  
℃/W  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
-55 to +175  
TJ,TSTG  
℃
Note:(1)Reverse recovery test conditions IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A.  
Note:(2)Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.  
Note:(3)Thermal Resistance junction to case.  
Page 1/2  
Rev.10T  
© 1995 Thinki Semiconductor Co., Ltd.  
http://www.thinkisemi.com.tw/  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FESF16CT-45 VISHAY

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 		DIODE 16 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC,
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