Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> FDMF6706C

FDMF6706C

更新时间： 2024-02-13 12:53:08

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路服务器主板节能技术
页数	文件大小	规格书
18页	1827K
描述
Extra-Small, High-Performance, High- Frequency DrMOS Module

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FDMF6706C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFN
包装说明：	6 X 6 MM, GREEN, PLASTIC, QFN-40	针数：	40
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	高边驱动器：	YES
接口集成电路类型：	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	JESD-30 代码：	S-PQCC-N40
JESD-609代码：	e3	长度：	6 mm
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	40	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HQCCN	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压：	5.5 V	最小供电电压：	4.5 V
标称供电电压：	5 V	表面贴装：	YES
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

FDMF6706C 数据手册

Electrical Characteristics

Typical values are V_IN= 12V, V_CIN= 5V, V_DRV= 5V, and T_A= +25°C unless otherwise noted.

Symbol

Parameter

Condition

Min. Typ. Max. Unit

High-Side Driver

R_{SOURCE_GH}Output Impedance, Sourcing Source Current=100mA

R_{SINK_GH}Output Impedance, Sinking Sink Current=100mA

Ω

0.8

t_{R_GH}

t_{F_GH}

Rise Time

Fall Time

GH=10% to 90%, C_LOAD=1.1nF

GH=90% to 10%, C_LOAD=1.1nF

GL going LOW to GH going HIGH,

2V GL to 10 % GH

t_{D_DEADON}LS to HS Deadband Time

PWM LOW Propagation

PWM going LOW to GH going LOW,

t_{PD_PLGHL}

Delay

_{IL_PWM}to 90% GH

PWM going HIGH to GH going HIGH,

V_{IH_PWM}to 10% GH (SMOD=LOW)

PWM HIGH Propagation

t_{PD_PHGHH}

Delay (SMOD Held LOW)

Exiting 3-State Propagation PWM (from 3-State) going HIGH to GH

Delay going HIGH, V_{IH_PWM}to 10% GH

t_{PD_TSGHH}

Low-Side Driver

R_{SOURCE_GL}Output Impedance, Sourcing Source Current=100mA

0.5

Ω

R_{SINK_GL}Output Impedance, Sinking

Sink Current=100mA

t_{R_GL}

t_{F_GL}

Rise Time

Fall Time

GL=10% to 90%, C_LOAD=2.7nF

GL=90% to 10%, C_LOAD=2.7nF

SW going LOW to GL going HIGH,

2.2V SW to 10% GL

t_{D_DEADOFF}HS to LS Deadband Time

PWM-HIGH Propagation

PWM going HIGH to GL going LOW,

t_{PD_PHGLL}

Delay

V_{IH_PWM}to 90% GL

Exiting 3-State Propagation PWM (from 3-State) going LOW to GL

t_{PD_TSGLH}

Delay

going HIGH, V_{IL_PWM}to 10% GL

Boot Diode

V_F

V_R

Forward-Voltage Drop

Breakdown Voltage

I_F=10mA

I_R=1mA

0.35

FDMF6706C • Rev. 1.0.2

www.fairchildsemi.com

1...3 4 567 8 9...18

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