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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDD068AN03L
FDD068AN03L PDF预览

FDD068AN03L

更新时间： 2024-09-29 22:24:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
11页 292K
描述
N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 35A, 6.8mз

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FDD068AN03L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
雪崩能效等级（Eas）：168 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.0068 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：80 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD068AN03L 数据手册

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December 2003  
FDD068AN03L / FDU068AN03L  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
30V, 35A, 6.8mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
r
= 5.7mΩ (Typ.), V = 4.5V, I = 35A  
•
•
•
•
•
12V Automotive Load Control  
Starter / Alternator Systems  
Electronic Power Steering Systems  
ABS  
DS(ON)  
GS  
D
Q
= 24nC (Typ.), V = 5V  
GS  
g(5)  
Low Miller Charge  
Low Q Body Diode  
RR  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC Converters  
D
S
D
G
G
I-PAK  
S
(TO-251AA)  
D-PAK  
G D S  
(TO-252)  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
20  
V
V
DSS  
GS  
Drain Current  
o
35  
35  
A
A
Continuous (T < 154 C, V = 10V)  
C
GS  
o
I
Continuous (T < 150 C, V = 4.5V)  
C GS  
D
o
o
Continuous (T  
= 25 C, V = 10V, with R = 52 C/W)  
θJA  
17  
A
amb  
GS  
Pulsed  
Figure 4  
168  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
Power dissipation  
mJ  
W
AS  
80  
D
o
o
Derate above 25 C  
0.53  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-252, TO-251  
1.88  
100  
52  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, TO-251  
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in copper pad area  
C/W  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD068AN03L / FDU068AN03L Rev. B1  
1234567...11

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FDD068AN03L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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