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FD401R17KF6CB2NOSA1

更新时间： 2023-01-02 19:35:22

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英飞凌 - INFINEON		栅
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描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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FD401R17KF6CB2NOSA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
Base Number Matches：	1

FD401R17KF6CB2NOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FD401R17KF6C_B2

1700VꢀIGBTꢀModulꢀmitꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀderꢀ2.tenꢀGenerationꢀundꢀsofterꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ

1700VꢀIGBTꢀModuleꢀwithꢀlowꢀlossꢀIGBTꢀofꢀ2ndꢀgenerationꢀandꢀsoftꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1700

V_CES

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

400

650

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

800

3,15

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/- 20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 400 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,60 3,10

3,10 3,60

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 30,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

4,5

5,5

4,80

2,6

27,0

1,30

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,40

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,15

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,10

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 400 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,10

0,11

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 400 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

190

150

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 400 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 3,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

1600

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

40,0 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

64,0

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀHS

approvedꢀby:ꢀTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-02

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7...10

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FD-4030-12A-C1-C	CYNTEC	获取价格	FUSE
FD-4030-12A-C2-C	CYNTEC	获取价格	FUSE
FD-4030-12A-C3-C	CYNTEC	获取价格	FUSE
FD-4030-12A-C4-C	CYNTEC	获取价格	FUSE
FD4-10	TRIAD	获取价格	Split Bobbin Power Transformer, 6VA, ROHS COMPLIANT
FD4-12	TRIAD	获取价格	Split Bobbin Power Transformer, 6VA, ROHS COMPLIANT
FD4-120	TRIAD	获取价格	Split Bobbin Power Transformer, 6VA, ROHS COMPLIANT
FD4-120_13	TRIAD	获取价格	Chassis Mount: Quick Pack
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