Datasheet > FD401R17KF6CB2V

FD401R17KF6CB2V

更新时间： 2024-02-17 14:03:09

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	108K
描述
IGBT Module

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FD401R17KF6CB2V 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	650 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	1
端子数量：	7	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1210 ns
标称接通时间 (ton)：	550 ns	VCEsat-Max：	3.1 V
Base Number Matches：	1

FD401R17KF6CB2V 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FD 401 R 17 KF6C B2

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

T_vj= 25°C

V_CES

1700

T_C= 80 °C

T_C= 25 °C

I_C,nom.

I_C

400

650

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

800

3,1

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

400

800

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

_P= 1 ms

I_FRM

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

kA²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 400A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,6

3,1

3,6

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 400A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

_C= 30mA , V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

4,5

5,5

4,8

6,5

Gateladung

gate charge

_GE= -15V ... +15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

C_res

I_CES

1,3

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: Alfons Wiesenthal

date of publication: 28.03.2001

revision: 2 (preliminary)

approved by: Christoph Lübke; 12.04.2001

1(8)

FD401R17KF6CB2_V.xls

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与FD401R17KF6CB2V相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FD-4030-12A-C1-C	CYNTEC	获取价格	FUSE
FD-4030-12A-C2-C	CYNTEC	获取价格	FUSE
FD-4030-12A-C3-C	CYNTEC	获取价格	FUSE
FD-4030-12A-C4-C	CYNTEC	获取价格	FUSE
FD4-10	TRIAD	获取价格	Split Bobbin Power Transformer, 6VA, ROHS COMPLIANT
FD4-12	TRIAD	获取价格	Split Bobbin Power Transformer, 6VA, ROHS COMPLIANT
FD4-120	TRIAD	获取价格	Split Bobbin Power Transformer, 6VA, ROHS COMPLIANT
FD4-120_13	TRIAD	获取价格	Chassis Mount: Quick Pack
FD4-16_13	TRIAD	获取价格	Chassis Mount: Quick Pack
FD4-24	TRIAD	获取价格	Split Bobbin Power Transformer, 6VA, ROHS COMPLIANT

与FD401R17KF6CB2V相关文章

REF70数据手册解读：高精度电压参考源的全面剖析
2024-07-08

2
解析30211801数据手册：PCB端子排MKDSV 5/3-9.5
2024-07-08

1
UL248-14数据手册深度解读：微型保险丝的全面剖析
2024-07-08

3
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

17

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FD401R17KF6CB2V

FD401R17KF6CB2V 技术参数

FD401R17KF6CB2V 数据手册

与FD401R17KF6CB2V相关器件

与FD401R17KF6CB2V相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FD401R17KF6CB2V

FD401R17KF6CB2V 技术参数

FD401R17KF6CB2V 数据手册

与FD401R17KF6CB2V相关器件

与FD401R17KF6CB2V相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？