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F4-25R12NS4

更新时间： 2024-09-25 21:16:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 271K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-22

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F4-25R12NS4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ECONOPACK-22针数：22
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：45 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X22
元件数量：4端子数量：22
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：210 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：350 ns标称接通时间 (ton)：100 ns
VCEsat-Max：3.75 VBase Number Matches：1

F4-25R12NS4 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
F4-25R12NS4  
EconoPACK™1 mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten als H-Brückenkonfiguration  
EconoPACK™1 module with fast IGBT2 for high switching frequency as H-bridge configuration  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
25  
45  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
50  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
210  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 25 A, V•Š = 15 V  
I† = 25 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,20 3,75  
3,85  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 1,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
4,5  
5,5  
0,30  
0,0  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
1,70  
0,11  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
1,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 25 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 36 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,04  
0,05  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 25 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 36 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,04  
0,05  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 25 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 36 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,28  
0,31  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 25 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 36 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,02  
0,04  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 25 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH  
V•Š = ±15 V, dI/dt = 650 A/µs (T=125°C)  
R•ÓÒ = 36 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,40  
3,50  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 25 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH  
V•Š = ±15 V, dU/dt = 6,60 V/µs (T=125°C)  
R•ÓËË = 36 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,80  
1,20  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
150  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,60 K/W  
K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
0,19  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Christoph Messelke  
approved by: Robert Severin  
date of publication: 2006-1-2  
revision: 2.0  
1
12345678

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