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FHX13X

更新时间： 2024-01-02 10:40:21
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 64K
描述
GaAs FET & HEMT Chips

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FHX13X 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIE
包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-NReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
其他特性：LOW NOISE, HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：3.5 VFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-XUUC-N
元件数量：1工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：11 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE

FHX13X 数据手册

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FHX13X, FHX14X  
GaAs FET & HEMT Chips  
FEATURES  
• Low Noise Figure: 0.45dB (Typ.)@f=12GHz (FHX13)  
• High Associated Gain: 13.0dB (Typ.)@f=12GHz  
• Lg ≤ 0.15µm, Wg = 200µm  
• Gold Gate Metallization for High Reliability  
DESCRIPTION  
The FHX13X, FHX14X are Super High Electron Mobility Transistor  
(SuperHEMTTM) intended for general purpose, ultra-low noise and  
high gain amplifiers in the 2-18GHz frequency range. The devices  
are well suited for telecommunication, DBS, TVRO, VSAT or other  
low noise applications.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Unit  
Rating  
3.5  
-3.0  
Drain-Source Voltage  
V
DS  
V
GS  
V
V
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
P
180  
mW  
°C  
°C  
t*  
T
-65 to +175  
175  
stg  
T
ch  
*Note: Mounted on Al O board (30 x 30 x 0.65mm)  
2
3
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 2 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 0.2 and -0.05mA respectively with  
gate resistance of 4000Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 80°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
60  
-
V
V
V
I
= 2V, V  
= 0V  
GS  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
10  
35  
30  
mA  
DS  
DS  
DS  
DSS  
g
= 2V, I  
= 10mA  
= 1mA  
m
50  
mS  
V
DS  
Pinch-off Voltage  
V
= 2V, I  
DS  
-0.1 -0.7  
-1.5  
-
p
Gate Source Breakdown Voltage  
V
-
V
= -10µA  
-3.0  
GSO  
NF  
GS  
Noise Figure  
FHX13X  
Associated Gain  
0.45 0.50  
-
11.0 13.0  
dB  
dB  
dB  
-
V
= 2V  
= 10mA  
G
DS  
as  
I
DS  
Noise Figure  
NF  
0.55 0.60  
-
f = 12GHz  
FHX14X  
G
-
Associated Gain  
as  
11.0 13.0  
dB  
R
Thermal Resistance  
Channel to Case  
-
220  
300  
°C/W  
th  
Note: RF parameter sample size 10pcs. criteria (accept/reject)=(2/3)  
The chip must be enclosed in a hermetically sealed environment for optimum performance and reliability.  
Edition 1.2  
July 1999  
1
1234

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