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ESD7571N2T5G

更新时间： 2024-01-18 01:00:16
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安森美 - ONSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 132K
描述
Ultra-Low Capacitance ESD Protection

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ESD7571N2T5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PBCC-N2Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：1.55
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY最小击穿电压：7 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PBCC-N2
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.3 W
参考标准：IEC-61000-4-2, 4-5最大重复峰值反向电压：5.3 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

ESD7571N2T5G 数据手册

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ESD7571, SZESD7571  
Ultra-Low Capacitance ESD  
Protection  
Micro−Packaged Diodes for ESD Protection  
The ESD7571 is designed to protect voltage sensitive components  
that require ultra-low capacitance from ESD and transient voltage  
events. Excellent clamping capability, low capacitance, high  
breakdown voltage, high linearity, low leakage, and fast response time  
make these parts ideal for ESD protection on designs where board  
space is at a premium. It has industry leading capacitance linearity  
over voltage making it ideal for RF applications. This capacitance  
linearity combined with the extremely small package and low  
insertion loss makes this part well suited for use in antenna line  
applications for wireless handsets and terminals.  
www.onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAM  
Features  
X2DFN2  
CASE 714AB  
XX M  
G
• Industry Leading Capacitance Linearity Over Voltage  
• Ultra−Low Capacitance: 0.35 pF Max  
• Stand−off Voltage: 5.3 V  
XX = Specific Device Code  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
• Low Leakage: < 1 nA  
• Low Dynamic Resistance: < 1 W  
• IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection  
• 1000 ESD IEC61000−4−2 Strikes 8 kV Contact / Air Discharged  
ORDERING INFORMATION  
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
†
Device  
ESD7571N2T5G  
Package  
Shipping  
X2DFN2  
(Pb−Free)  
8000 / Tape &  
Reel  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
SZESD7571N2T5G X2DFN2  
(Pb−Free)  
8000 / Tape &  
Reel  
Typical Applications  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
• RF Signal ESD Protection  
• RF Switching, PA, and Antenna ESD Protection  
• Near Field Communications  
• USB 2.0, USB 3.0  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
IEC 61000−4−2 Contact (ESD) (Note 1)  
IEC 61000−4−2 Air (ESD) (Note 1)  
ESD  
ESD  
20  
20  
KV  
kV  
IEC 61000−4−5 (ESD) (Note 2)  
ESD  
2.2  
A
Total Power Dissipation (Note 3) @ T = 25°C  
°P °  
300  
400  
mW  
°C/W  
A
D
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
Lead Solder Temperature − Maximum  
(10 Second Duration)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. At least 10 discharges at T = 25°C, per IEC61000−4−2 waveform.  
A
2. Non−repetitive current pulse at T = 25°C, per IEC61000−4−5 waveform.  
A
3. Mounted with recommended minimum pad size, DC board FR−4  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
October, 2016 − Rev. 0  
ESD7571/D  
 
123456

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