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ES29LV400DB-70TGI

更新时间： 2024-10-02 04:41:23
品牌 Logo 应用领域
EXCELSEMI 闪存
页数 文件大小 规格书
51页 679K
描述
4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

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ES29LV400DB-70TGI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G48
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16湿度敏感等级：3
部门数/规模：1,2,1,7端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.00001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

ES29LV400DB-70TGI 数据手册

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E S I  
E S I  
Excel Semiconductor inc.  
ES29LV400E  
4Mbit(512Kx 8/256K x 16)  
CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory  
• Minimum 100,000 program/erase cycles per sector  
• 20 Year data retention at 125oC  
GENERAL FEATURES  
• Single power supply operation  
- 2.7V -3.6V for read, program and erase operations  
SOFTWARE FEATURES  
• Sector Structure  
- 16Kbyte x 1, 8Kbyte x 2, 32Kbyte x 1 boot sectors  
- 64Kbyte x 7sectors  
• Erase Suspend / Erase Resume  
• Data# poll and toggle for Program/erase status  
• Unlock Bypass program  
• Autoselect mode  
• Auto-sleep mode after tACC + 30ns  
• Top or Bottom boot block  
- ES29LV400ET for Top boot block device  
- ES29LV400EB for Bottom boot block device  
• Package Options  
- 48-pin TSOP  
HARDWARE FEATURES  
- 48-ball FBGA ( 6 x 8 mm )  
- Pb-free packages  
- All Pb-free products are RoHS-Compliant  
• Hardware reset input pin ( RESET#)  
- Provides a hardware reset to device  
- Any internal device operation is terminated and the  
device returns to read mode by the reset  
• Low Vcc write inhibit  
• Manufactured on 0.18um process technology  
• Compatible with JEDEC standards  
- Pinout and software compatible with single-power  
supply flash standard  
• Ready/Busy# output pin ( RY/BY#)  
- Provides a program or erase operational status  
about whether it is finished for read or still being  
progressed  
• Sector protection / unprotection ( RESET# , A9 )  
- Hardware method of locking a sector to prevent  
any program or erase operation within that sector  
- Two methods are provided :  
DEVICE PERFORMANCE  
• Read access time  
- 70ns / 90ns  
- In-system method by RESET# pin  
- A9 high-voltage method for PROM programmers  
• Program and erase time  
- Program time : 6us/byte, 8us/word ( typical )  
- Sector erase time : 0.7sec/sector ( typical )  
• Temporary Sector Unprotection ( RESET# )  
- Allows temporary unprotection of previously  
protected sectors to change data in-system  
• Power consumption (typical values)  
- 200nA in standby or automatic sleep mode  
- 7mA active read current at 5 MHz  
- 15mA active write current during program or erase  
1
Rev.0B January 5, 2006  
ES29LV400E  
1234567...51

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与ES29LV400DB-70TGI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ES29LV400DB-80RTG EXCELSEMI

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 		8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES29LV400DB-90RTG EXCELSEMI

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 		4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES29LV400E EXCELSEMI

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