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EP2AGX65FF29C6

更新时间： 2024-01-05 18:52:38

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英特尔 - INTEL		LTE 栅可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
78页	808K
描述
Field Programmable Gate Array,

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EP2AGX65FF29C6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HBGA,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.27	最大时钟频率：	500 MHz
JESD-30 代码：	S-PBGA-B780	JESD-609代码：	e1
长度：	29 mm	端子数量：	780
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
座面最大高度：	2.7 mm	最大供电电压：	0.93 V
最小供电电压：	0.87 V	标称供电电压：	0.9 V
表面贴装：	YES	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	29 mm
Base Number Matches：	1

EP2AGX65FF29C6 数据手册

1–4

Chapter 1: Device Datasheet for Arria II Devices

Electrical Characteristics

Table 1–3. Maximum Allowed Overshoot During Transitions for Arria II Devices

Overshoot Duration as % of

High Time

Symbol

Description

Condition (V)

Unit

4.0

4.05

4.1

100.000

79.330

46.270

27.030

15.800

9.240

4.15

4.2

4.25

4.3

V_I(AC)

AC Input Voltage

5.410

4.35

4.4

3.160

1.850

4.45

4.5

1.080

0.630

4.55

4.6

0.370

0.220

Maximum Allowed I/O Operating Frequency

Table 1–4 lists the maximum allowed I/O operating frequency for Arria II GX I/Os

using the specified I/O standards to ensure device reliability.

Table 1–4. Maximum Allowed I/O Operating Frequency for Arria II GX Devices

I/O Standard

HSTL-18 and HSTL-15

I/O Frequency (MHz)

333

400

333

260

SSTL -15

SSTL-18

2.5-V LVCMOS

3.3-V and 3.0-V LVTTL

3.3-V, 3.0-V, 1.8-V, and 1.5-V LVCMOS

PCI and PCI-X

250

200

SSTL-2

1.2-V LVCMOS HSTL-12

Arria II Device Handbook Volume 3: Device Datasheet and Addendum

December 2013 Altera Corporation

1 2 345 6 7...78

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