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EP2AGX65DF29C6N

更新时间： 2024-01-04 12:23:11

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		时钟栅可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
78页	737K
描述
Field Programmable Gate Array, 500MHz, 60214-Cell, CMOS, PBGA780, 29 X 29 MM, LEAD FREE, MS-034, FBGA-780

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EP2AGX65DF29C6N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	29 X 29 MM, LEAD FREE, MS-034, FBGA-780	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.25	最大时钟频率：	500 MHz
JESD-30 代码：	S-PBGA-B780	JESD-609代码：	e1
长度：	29 mm	湿度敏感等级：	3
输入次数：	364	逻辑单元数量：	60214
输出次数：	364	端子数量：	780
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HBGA
封装等效代码：	BGA780,28X28,40	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG	峰值回流温度（摄氏度）：	245
电源：	0.9,1.2/3.3,1.5,2.5 V	可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.7 mm
子类别：	Field Programmable Gate Arrays	最大供电电压：	0.93 V
最小供电电压：	0.87 V	标称供电电压：	0.9 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	29 mm	Base Number Matches：	1

EP2AGX65DF29C6N 数据手册

Chapter 1: Device Datasheet for Arria II Devices

1–3

Electrical Characteristics

Table 1–2. Absolute Maximum Ratings for Arria II GZ Devices (Part 2 of 2)

Symbol

V_{CCA_L}

Description

Supplies transceiver high voltage power (left side)

Supplies transceiver high voltage power (right side)

Supplies transceiver HIP digital power (left side)

Supplies receiver power (left side)

Minimum

-0.5

Maximum

3.75

Unit

V_{CCA_R}

V_{CCHIP_L}

V_{CCR_L}

V_{CCR_R}

V_{CCT_L}

V_{CCT_R}

-0.5

3.75

-0.5

1.35

-0.5

1.35

Supplies receiver power (right side)

-0.5

1.35

Supplies transmitter power (left side)

-0.5

1.35

Supplies transmitter power (right side)

-0.5

1.35

V_{CCL_GXBLn}Supplies power to the transceiver PMA TX, PMA RX, and clocking (left

(1) side)

-0.5

1.35

1.8

V_{CCL_GXBRn}Supplies power to the transceiver PMA TX, PMA RX, and clocking (right

(1)

side)

V_{CCH_GXBLn}

(1)

Supplies power to the transceiver PMA output (TX) buffer (left side)

V_{CCH_GXBRn}

(1)

Supplies power to the transceiver PMA output (TX) buffer (right side)

1.8

T_J

Operating junction temperature

Storage temperature (no bias)

-55

-65

125

150

°C

T_STG

Note to Table 1–2:

(1) n = 0, 1, or 2.

Maximum Allowed Overshoot and Undershoot Voltage

During transitions, input signals may overshoot to the voltage shown in Table 1–3 and

undershoot to –2.0 V for magnitude of currents less than 100 mA and periods shorter

than 20 ns.

Table 1–3 lists the Arria II GX and GZ maximum allowed input overshoot voltage and

the duration of the overshoot voltage as a percentage over the device lifetime. The

maximum allowed overshoot duration is specified as a percentage of high-time over

the lifetime of the device. A DC signal is equivalent to 100% duty cycle. For example,

a signal that overshoots to 4.3 V can only be at 4.3 V for 5.41% over the lifetime of the

device; for a device lifetime of 10 years, this amounts to 5.41/10ths of a year.

December 2013 Altera Corporation

Arria II Device Handbook Volume 3: Device Datasheet and Addendum

1 234 5 6 7...78

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EP2AGX65DU17C4	INTEL	Field Programmable Gate Array	获取价格
EP2AGX65DU17C6N	INTEL	Field Programmable Gate Array, 500MHz, PBGA358, 17 X 17 MM, LEAD FREE, MO-275, UBGA-358	获取价格
EP2AGX65EF25C4N	INTEL	Field Programmable Gate Array, 500MHz, PBGA572, 25 X 25 MM, LEAD FREE, MS-034, FBGA-572	获取价格
EP2AGX65EF25C5N	INTEL	Field Programmable Gate Array, 500MHz, PBGA572, 25 X 25 MM, LEAD FREE, MS-034, FBGA-572	获取价格
EP2AGX65EF25I3N	INTEL	Field Programmable Gate Array, 500MHz, PBGA572, 25 X 25 MM, LEAD FREE, MS-034, FBGA-572	获取价格
EP2AGX65EF25I5	INTEL	Field Programmable Gate Array	获取价格

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