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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 | JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 350 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EN2016CJ | ELANTEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Glas |
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| EN2016CM | ELANTEC |
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Power Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| EN2016J | ELANTEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Glas |
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| EN2016L | ELANTEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Meta |
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| EN2016L/883B | ELANTEC |
获取价格 |
Transistor, |
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| EN201D-05A | FUJI |
获取价格 |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V |
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| EN201D-07A | FUJI |
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Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V |
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| EN201D-10A | FUJI |
获取价格 |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V |
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| EN201D-14A | FUJI |
获取价格 |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V |
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| EN201D-20A | FUJI |
获取价格 |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V |
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