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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.89 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G20 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 20 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 350 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EN2016J | ELANTEC |
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Power Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Glas |
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| EN2016L | ELANTEC |
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Power Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Meta |
|
| EN2016L/883B | ELANTEC |
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Transistor, |
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| EN201D-05A | FUJI |
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Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V |
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| EN201D-07A | FUJI |
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Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V |
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| EN201D-10A | FUJI |
获取价格 |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V |
|
| EN201D-14A | FUJI |
获取价格 |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V |
|
| EN201D-20A | FUJI |
获取价格 |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V |
|
| EN2101E | SANYO |
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160V / 1.5A Switching Applications |
|
| EN2195I | SANYO |
获取价格 |
Varactor Diode for FM Low-Voltage Electronic Tuning Use |
|
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