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EM584161BC-70

更新时间： 2024-01-14 04:51:48

品牌	Logo	应用领域
钰创 - ETRON		静态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	250K
描述
256K x 16 Low Power SRAM

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数据手册

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EM584161BC-70 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

EM584161BC-70 数据手册

EtronTech

EM584161

AC Characteristics and Operating Conditions(Ta = -40 C to 85 C, V

= 1.65V to 1.95V)

Read Cycle

EM584161

-85 -70

Min Max Min Max

Symbol

Parameter

Unit

Read cycle time

−

Address access time

Chip Enable (CE1#) Access Time

Chip Enable (CE2) Access Time

Output enable access time

−

CO1

−

CO2

−

Data Byte Control Access Time

−

Chip Enable Low to Output in Low-Z

Output enable Low to Output in Low-Z

Data Byte Control Low to Output in Low-Z

Chip Enable High to Output in High-Z

Output Enable High to Output in High-Z

Data Byte Control High to Output in High-Z

Output Data Hold Time

−

OLZ

−

BLZ

−

OHZ

−

BHZ

Write Cycle

EM584161

-85 -70

Min Max Min Max

Symbol

Parameter

Unit

Write cycle time

−

Write pulse width

Chip Enable to end of write

Data Byte Control to end of Write

Address setup time

−

Write Recovery time

WE# Low to Output in High-Z

WE# High to Output in Low-Z

Data Setup Time

−

WHZ

−

Data Hold Time

−

AC Test Condition

Output load : 30pF + one TTL gate

Input pulse level : 0.2V, VDD-0.2V

Timing measurements : 0.5 x V_DD

tR, tF : 5ns

•

Rev 2.0

Nov. 2003

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