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EGP20J

更新时间： 2023-09-03 20:33:37
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 功效二极管
页数 文件大小 规格书
5页 164K
描述
2.0A超快速恢复整流器

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EGP20J 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：GLASS PACKAGE-2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.89
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：DO-15JESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：75 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：3.13 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.075 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

EGP20J 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Rectifiers, High Efficiency,  
Glass Passivated, 2.0ꢀA  
EGP20A - EGP20K  
AXIAL LEAD DO 204  
Features  
CASE 017AJ  
Glass−Passivated Cavity−Free Junction  
High Surge Current Capability  
Low Leakage Current  
MARKING DIAGRAM  
Super−Fast Recovery Time for High Efficiency  
Low Forward Voltage, High Current Capability  
EGP20X  
ZYWW  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
EGP20X  
= Specific Device Code  
X = A/B/C/D/F/G/J/K  
= Assembly Code  
I
Average Rectified Current  
0.375 inch lead length at TA = 55C  
2.0  
A
F(AV)  
Z
YWW  
= Date Code (Year & Week)  
I
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms single half−sine−wave  
Superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
75  
A
FSM  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 3  
of this data sheet.  
T , T  
Junction and Storage Temperature Range −65 to 150  
C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Value  
3.13  
25  
Unit  
W
P
D
Total Device Dissipation  
Derate above 25C  
mWC  
C/W  
C/W  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Lead  
40  
q
JA  
R
15  
q
JL  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
Device  
20D  
20A  
50  
20B  
100  
70  
20C  
150  
105  
150  
20F  
300  
210  
300  
20G  
400  
280  
400  
20J  
20K  
800  
560  
800  
Parameter  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Unit  
V
200  
140  
200  
600  
420  
600  
35  
V
DC Reverse Voltage (Rated V )  
50  
100  
V
R
Maximum Reverse  
T = 25_C  
A
5.0  
mA  
A
Current at Rated V  
R
T = 125_C  
100  
mA  
Maximum Reverse Recovery Time  
I = 0.5 A, I = 1.0 A, I = 0.25 A  
50  
75  
nS  
V
F
R
rr  
Maximum Forward Voltage @ 2.0 A  
Typical Junction Capacitance  
0.95  
70  
1.25  
1.7  
45  
pF  
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
*Pulse Test: Pulse Width 300 ms, Duty Cycle 2%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
October, 2022 − Rev. 2  
EGP20K/D  
12345

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EGP20J 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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