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EGP10F

更新时间： 2023-09-03 20:31:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
5页 148K
描述
1.0A快速恢复整流器

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EGP10F 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DO-41
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
二极管类型：RECTIFIER DIODEBase Number Matches：1
类别：Diodes配置：Single
VRRM (V) max：300IF (A) max：1
VF (V) max：1.25Condition1_IF (A)：1
IFSM (A) max：30IR (uA) max：5
Condition2_VR (V)：300trr (ns) max：50
AEC Qualified：NO最高工作温度：125
最低工作温度：-55是否无铅：否
符合Reach：YES符合RoHS：YES
Package Outlines：DO-41

EGP10F 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Rectifier, High Efficiency,  
Glass Passivated, 1.0ꢀA  
EGP10B - EGP10K  
AXIAL LEAD / DO−41  
Features  
CASE 017AH  
Superfast Recovery Time for High Efficiency  
Low Forward Voltage, High Current Capability  
Low Leakage Current  
MARKING DIAGRAM  
High Surge Current Capability  
EGP10X  
ZYWW  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
EGP10X  
= Specific Device Code  
X = B/C/D/F/G/K  
= Assembly Code  
I
Average Rectified Current  
1.0  
A
O
0.375” lead length @ T = 75_C  
L
Z
I
Peak Forward Surge Current  
30  
A
f(surge)  
YWW  
= Date Code (Year & Week)  
8.3 ms single half−sine−wave  
Superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 3  
of this data sheet.  
P
Total Device Dissipation  
2.5  
17  
W
mWC  
D
Derate above 25_C  
I
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
50  
C/W  
C  
TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range −65~150  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any  
semiconductor device may be impaired.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25C unless otherwise noted)  
A
Device  
10B  
100  
70  
10C  
150  
105  
150  
10D  
200  
140  
200  
10F  
300  
210  
300  
10G  
400  
280  
400  
10K  
800  
560  
800  
Parameter  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Unit  
V
V
DC Reverse Voltage (Rated V )  
100  
V
R
Maximum Reverse  
5.0  
T = 25_C  
A
mA  
mA  
A
Current at Rated V  
R
T = 125_C  
100  
Maximum Reverse Recovery Time  
I = 0.5 A, I = 1.0 A, I = 0.25 A  
50  
75  
nS  
V
F
R
rr  
Maximum Forward Voltage @ 2.0 A  
Typical Junction Capacitance  
0.95  
22  
1.25  
1.7  
15  
pF  
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
*Pulse Test: Pulse Width 300 ms, Duty Cycle 2%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
October, 2022 − Rev. 2  
EGP10K/D  
12345

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EGP10F 替代型号

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