是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.83 |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDSO-J32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP32,.56 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.005 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.095 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI88130C70NI | ETC |
获取价格 |
128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 |
![]() |
EDI88130C70NM | ETC |
获取价格 |
128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 |
![]() |
EDI88130C70ZB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
![]() |
EDI88130C70ZC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
![]() |
EDI88130C70ZI | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
![]() |
EDI88130C70ZM | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
![]() |
EDI88130C85CB | ETC |
获取价格 |
128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 |
![]() |
EDI88130C85CC | ETC |
获取价格 |
128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 |
![]() |
EDI88130C85CI | ETC |
获取价格 |
128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 |
![]() |
EDI88130C85CM | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
![]() |