是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CERAMIC, ZIP-32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.19 | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CZIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | ZIP |
封装等效代码: | ZIP32,.1 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 12.7 mm |
最大待机电流: | 0.0004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.095 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | ZIG-ZAG |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI88128LP10CB | ETC |
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128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 | |
EDI88128LP10CC | ETC |
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128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 | |
EDI88128LP10CI | ETC |
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128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 | |
EDI88128LP10CM | ETC |
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128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 | |
EDI88128LP10NB | ETC |
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128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 | |
EDI88128LP10NC | ETC |
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128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 | |
EDI88128LP10NI | ETC |
获取价格 |
128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 | |
EDI88128LP10NM | ETC |
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128KX8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-89598 | |
EDI88128LP35CM | WEDC |
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Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, | |
EDI88128LP35FB | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 |