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EDI88128LP35LB

更新时间： 2024-02-07 18:00:44

品牌	Logo	应用领域
WEDC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	210K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, LCC-32

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EDI88128LP35LB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDSO-N32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	SON
封装等效代码：	SOLCC32,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00075 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.15 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EDI88128LP35LM	WEDC	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDSO32,	获取价格
EDI88128LP35TB	WEDC	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32,	获取价格
EDI88128LP35TI	WEDC	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32,	获取价格
EDI88128LP45CM	WEDC	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32,	获取价格
EDI88128LP45FB	WEDC	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32	获取价格
EDI88128LP45LB	WEDC	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32,	获取价格