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EDI816256LPA20M44I

更新时间： 2024-01-07 10:33:19
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5页 111K
描述
x16 SRAM

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EDI816256LPA20M44I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOJ, SOJ44,.44Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84最长访问时间：20 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J44
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ44,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.015 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.275 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

EDI816256LPA20M44I 数据手册

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EDI816256CA-RP  
HI-RELIABILITY PRODUCT  
256Kx16 PLASTIC MONOLITHIC SRAM  
The EDI816256CA is a ruggedized plastic 256Kx16 SRAM that  
allows the user to capitalize on the cost advantage of using a  
plastic component while not sacrificing all of the reliability  
available in a full military device.  
FEATURES  
■ 256Kx16 bit CMOS Static  
■ Random Access Memory  
• Access Times of 15, 17, 20, 25ns  
• Data Retention Function (LPA version)  
• TTL Compatible Inputs and Outputs  
• Fully Static, No Clocks  
The EDI816256CA uses 16 common input and output lines and has  
an output enable pin which operates faster than address access  
time at read cycle. The device allows upper and lower byte access  
by use of the data byte control pins (LB, UB).  
Extended temperature testing is performed with the test patterns  
developed for use on WEDC’s fully compliant 256Kx16 SRAMs.  
WEDC fully characterizes devices to determine the proper test  
patterns for testing at temperature extremes. This is critical  
because the operating characteristics of device change when it is  
operated beyond the commercial guarantee a device that oper-  
ates reliably in the field at temperature extremes. Users of  
WEDC’s ruggedized plastic benefit from WEDC’s extensive expe-  
rience in characterizing SRAMs for use in military systems.  
■ Center Power/Ground Pins (Revolutionary)  
■ 44 lead JEDEC Approved Revolutionary Pinout  
• Plastic SOJ Package  
■ Single +5V (±10%) Supply Operation  
WEDC ensures Low Power devices will retain data in Data Reten-  
tion mode by characterizing the devices to determine the appro-  
priate test conditions. This is crucial for systems operating at -  
40°Corbelowandusingdensememoriessuchas256Kx16s.WEDC’s  
ruggedized plastic SOJ is footprint compatible with WEDC’s full  
military ceramic 44 pin SOJ.  
PIN CONFIGURATION  
TOP VIEW  
PIN DESCRIPTION  
A0-17  
LB  
Address Inputs  
Lower-Byte Control (I/O1-8)  
Upper-Byte Control (I/O9-16)  
Data Input/Output  
Chip Select  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
1
A0  
A1  
A17  
A16  
A15  
OE  
2
3
A2  
UB  
4
A3  
5
A4  
UB  
I/O1-16  
CS  
6
CS  
LB  
7
I/O1  
I/O2  
I/O3  
I/O4  
I/O16  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
8
OE  
Output Enable  
9
WE  
VCC  
VSS  
NC  
Write Enable  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
VCC  
VSS  
+5.0V Power  
VSS  
VCC  
Ground  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
I/O8  
WE  
A5  
I/O12  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
NC  
No Connection  
A14  
A13  
A12  
A11  
A10  
A6  
A7  
A8  
A9  
1
May 1999 Rev. 3  
White Electronic Designs Corporation • Phoenix, AZ • (602) 437-1520  
12345

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与EDI816256LPA20M44I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDI816256LPA20M44IGA MICROSEMI

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 		Standard SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, PDSO44
EDI816256LPA20M44M ETC

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 		x16 SRAM
EDI816256LPA20M44MGA MICROSEMI

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 		Standard SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, PDSO44
EDI816256LPA20N44B WEDC

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 		Standard SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, CDSO44, CERAMIC, SOJ-44
EDI816256LPA20N44M MICROSEMI

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 		Standard SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, CDSO44, CERAMIC, SOJ-44
EDI816256LPA25F44B MICROSEMI

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 		Standard SRAM, 256KX16, 25ns, CMOS, CDFP44, CERAMIC, DFP-44
EDI816256LPA25F44I MICROSEMI

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EDI816256LPA25M44B WEDC

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 		SRAM,
EDI816256LPA25M44C WEDC

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 		SRAM,
EDI816256LPA25M44I ETC

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 		x16 SRAM

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