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EBE21AD4AGFA-5C-E PDF预览

EBE21AD4AGFA-5C-E

更新时间： 2024-01-03 17:38:26
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
23页 197K
描述
2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE21AD4AGFA-5C-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM240,40
针数：240Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.5 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：266 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N240内存密度：19327352832 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE内存宽度：72
功能数量：1端口数量：1
端子数量：240字数：268435456 words
字数代码：256000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：
组织：256MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM240,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：7.42 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：NO LEAD端子节距：1 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EBE21AD4AGFA-5C-E 数据手册

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EBE21AD4AGFA  
Serial PD Matrix  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments  
Number of bytes utilized by module  
manufacturer  
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
80H  
08H  
128 bytes  
256 bytes  
Total number of bytes in serial PD  
device  
2
3
4
5
6
7
8
Memory type  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
08H  
0EH  
0BH  
61H  
48H  
00H  
05H  
DDR2 SDRAM  
Number of row address  
Number of column address  
Number of DIMM ranks  
Module data width  
14  
11  
2
72  
Module data width continuation  
Voltage interface level of this assembly  
0
SSTL 1.8V  
DDR SDRAM cycle time, CL = 5  
-6E  
9
0
0
1
1
0
0
0
0
30H  
3.0ns*1  
-5C  
-4A  
0
0
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
3DH  
50H  
3.75ns*1  
5.0ns*1  
SDRAM access from clock (tAC)  
-6E  
10  
11  
0
1
0
0
0
1
0
1
45H  
0.45ns*1  
-5C  
-4A  
0
0
1
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
50H  
60H  
0.5ns*1  
0.6ns*1  
ECC, Address/  
Command Parity  
DIMM configuration type  
0
0
0
0
0
1
1
0
06H  
12  
13  
14  
15  
Refresh rate/type  
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
82H  
04H  
04H  
00H  
7.8µs  
× 4  
× 4  
0
Primary SDRAM width  
Error checking SDRAM width  
Reserved  
SDRAM device attributes:  
Burst length supported  
16  
17  
18  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0CH  
04H  
38H  
4, 8  
4
SDRAM device attributes: Number of  
banks on SDRAM device  
SDRAM device attributes:  
/CAS latency  
3, 4, 5  
19  
20  
21  
DIMM Mechanical Characteristics  
DIMM type information  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
01H  
01H  
00H  
4.00mm max.  
Registered  
Normal  
SDRAM module attributes  
Weak Driver  
50Ω ODT Support  
22  
23  
SDRAM device attributes: General  
0
0
0
0
0
0
1
1
03H  
Minimum clock cycle time at CL = 4  
-6E, -5C  
0
0
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
3DH  
50H  
3.75ns*1  
5.0ns*1  
-4A  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = 4  
24  
0
1
0
1
0
0
0
0
50H  
0.5ns*1  
-6E, -5C  
-4A  
0
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
60H  
50H  
0.6ns*1  
5.0ns*1  
25  
26  
27  
Minimum clock cycle time at CL = 3  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = 3  
0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
60H  
3CH  
0.6ns*1  
15ns  
Minimum row precharge time (tRP)  
Preliminary Data Sheet E0866E11 (Ver. 1.1)  
5
12345678...23

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