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EBE11ED8AJWA-8E-E

更新时间： 2024-02-19 14:36:25
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
29页 242K
描述
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE11ED8AJWA-8E-E 数据手册

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EBE11ED8AJWA  
Byte No. Function described  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = X − 2  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments  
26  
0
1
1
0
0
0
0
0
60H  
0.6ns*1  
-8E, -6E (CL = 3)  
-8G (CL = 4)  
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
0
0
0
50H  
32H  
3CH  
1EH  
0.5ns*1  
12.5ns  
15ns  
Minimum row precharge time (tRP)  
-8E  
27  
-8G, -6E  
Minimum row active to row active delay  
(tRRD)  
28  
29  
7.5ns  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
-8E  
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
32H  
3CH  
2DH  
80H  
12.5ns  
15ns  
-8G, -6E  
Minimum active to precharge time  
(tRAS)  
30  
31  
45ns  
Module rank density  
512M bytes  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
-8E, -8G  
32  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
1
0
0
1
0
1
0
1
1
1
17H  
20H  
25H  
27H  
05H  
0.17ns*1  
0.20ns*1  
0.25ns*1  
0.27ns*1  
0.05ns*1  
-6E  
Address and command hold time after  
clock (tIH)  
-8E, -8G  
33  
-6E  
Data input setup time before clock  
(tDS)  
-8E, -8G  
34  
35  
-6E  
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
10H  
12H  
0.10ns*1  
0.12ns*1  
Data input hold time after clock (tDH)  
-8E, -8G  
-6E  
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
1
0
1
0
17H  
3CH  
0.17ns*1  
15ns*1  
36  
37  
Write recovery time (tWR)  
Internal write to read command delay  
(tWTR)  
0
0
0
1
1
1
1
0
1EH  
7.5ns*1  
Internal read to precharge command  
delay (tRTP)  
38  
39  
40  
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
0
0
0
0
1
0
1
0
1
1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
0
0
1
0
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
1EH  
00H  
30H  
00H  
39H  
3CH  
69H  
80H  
14H  
18H  
1EH  
7.5ns*1  
TBD  
Memory analysis probe characteristics  
Extension of Byte 41 and 42  
-8E  
-8G, -6E  
Undefined  
57.5ns*1  
60ns*1  
Active command period (tRC)  
-8E  
41  
-8G, -6E  
Auto refresh to active/  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
42  
43  
44  
105ns*1  
8ns*1  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew  
-8E, -8G  
0.20ns*1  
0.24ns*1  
0.30ns*1  
-6E  
Data hold skew (tQHS)  
-8E, -8G  
45  
-6E  
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
22H  
00H  
00H  
0.34ns*1  
46  
PLL relock time  
Undefined  
Undefined  
47 to 61  
Data Sheet E1054E30 (Ver. 3.0)  
6
1...3456789...29

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