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Datasheet > 暂无类别数据> EBE10UE8AFSA-6E-F
EBE10UE8AFSA-6E-F PDF预览

EBE10UE8AFSA-6E-F

更新时间： 2024-02-21 02:33:05
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
29页 251K
描述
1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM

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EBE10UE8AFSA-6E-F 数据手册

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EBE10UE8AFSA  
Serial PD Matrix  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments  
Number of bytes utilized by module  
manufacturer  
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
80H  
08H  
128 bytes  
256 bytes  
Total number of bytes in serial PD  
device  
2
3
4
5
6
7
8
Memory type  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
08H  
0EH  
0AH  
60H  
40H  
00H  
05H  
DDR2 SDRAM  
Number of row address  
Number of column address  
Number of DIMM ranks  
Module data width  
14  
10  
1
64  
Module data width continuation  
0
Voltage interface level of this assembly 0  
SSTL 1.8V  
DDR SDRAM cycle time, CL = X  
-8G (CL = 6)  
9
0
0
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
25H  
30H  
40H  
2.5ns*1  
3.0ns*1  
0.4ns*1  
-6E (CL = 5)  
0
0
SDRAM access from clock (tAC)  
-8G  
10  
-6E  
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
45H  
00H  
82H  
08H  
00H  
00H  
0.45ns*1  
None  
7.8µs  
× 8  
11  
12  
13  
14  
15  
DIMM configuration type  
Refresh rate/type  
Primary SDRAM width  
Error checking SDRAM width  
Reserved  
None  
0
SDRAM device attributes:  
Burst length supported  
16  
17  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0CH  
08H  
4,8  
8
SDRAM device attributes: Number of  
banks on SDRAM device  
SDRAM device attributes: /CAS  
18  
latency  
-8G  
0
1
1
1
0
0
0
0
70H  
4, 5, 6  
-6E  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
38H  
01H  
04H  
00H  
3, 4, 5  
19  
20  
21  
DIMM Mechanical Characteristics  
DIMM type information  
SDRAM module attributes  
3.80mm max.  
SO-DIMM  
Normal  
Weak Driver  
50Ω ODT Support  
22  
23  
SDRAM device attributes: General  
0
0
0
0
0
0
1
1
03H  
Minimum clock cycle time at  
CL = X − 1  
-8G (CL = 5)  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
0
1
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
30H  
3DH  
45H  
50H  
3DH  
50H  
3.0ns*1  
3.75ns*1  
0.45ns*1  
0.5ns*1  
3.75ns*1  
5.0ns*1  
-6E (CL = 4)  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = X − 1  
-8G (CL = 5)  
24  
25  
-6E (CL = 4)  
Minimum clock cycle time at  
CL = X − 2  
-8G (CL = 4)  
-6E (CL = 3)  
Data Sheet E1450E20 (Ver. 2.0)  
5
12345678...29

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EBE10UE8AFSA-8G-F ELPIDA

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 		1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM
EBE11ED8ABFA ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)
EBE11ED8ABFA-4A ELPIDA

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 		DDR DRAM Module, 128MX72, 0.6ns, CMOS, DIMM-240
EBE11ED8ABFA-4A-E ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)
EBE11ED8ABFA-4C ELPIDA

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 		DDR DRAM Module, 128MX72, 0.6ns, CMOS, DIMM-240
EBE11ED8ABFA-4C-E ELPIDA

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 		DDR DRAM Module, 128MX72, 0.6ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-240
EBE11ED8ABFA-5C ELPIDA

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 		DDR DRAM Module, 128MX72, 0.5ns, CMOS, DIMM-240
EBE11ED8ABFA-5C-E ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)
EBE11ED8AEFA ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)
EBE11ED8AEFA-4A-E ELPIDA

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 		1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)

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