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Datasheet > 存储 > DRAM> EBE10RD4AGFA-5C-E
EBE10RD4AGFA-5C-E PDF预览

EBE10RD4AGFA-5C-E

更新时间： 2024-01-13 06:08:36
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
23页 191K
描述
1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 1 Rank)

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EBE10RD4AGFA-5C-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM240,40
针数：240Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84Is Samacsys：N
访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间：0.5 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：267 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N240
内存密度：9663676416 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：72功能数量：1
端口数量：1端子数量：240
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：组织：128MX72
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM240,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES最大待机电流：0.7 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：6.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：NO LEAD端子节距：1 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EBE10RD4AGFA-5C-E 数据手册

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EBE10RD4AGFA  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value  
Comments  
7.5ns  
Minimum row active to row active delay  
28  
29  
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
1EH  
3CH  
(tRRD)  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
15ns  
Minimum active to precharge time  
30  
(tRAS)  
0
0
1
0
1
1
0
1
2DH  
45ns  
-6E, -5C  
-4A  
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
28H  
01H  
40ns  
1GB  
31  
32  
Module rank density  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
-6E  
0
0
1
0
0
0
0
0
20H  
0.20ns*1  
-5C  
-4A  
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
1
1
0
0
1
1
25H  
35H  
0.25ns*1  
0.35ns*1  
Address and command hold time after  
clock (tIH)  
-6E  
33  
0
0
1
0
1
0
0
0
28H  
0.28ns*1  
-5C  
-4A  
0
0
0
1
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
38H  
48H  
0.38ns*1  
0.48ns*1  
Data input setup time before clock  
(tDS)  
34  
35  
0
0
0
1
0
0
0
0
10H  
0.10ns*1  
-6E, -5C  
-4A  
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
0
0
1
0
15H  
18H  
0.15ns*1  
0.18ns*1  
Data input hold time after clock (tDH)  
-6E  
-5C  
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
0
0
23H  
28H  
3CH  
0.23ns*1  
0.28ns*1  
15ns*1  
-4A  
36  
37  
Write recovery time (tWR)  
Internal write to read command delay  
(tWTR)  
0
0
0
1
1
1
1
0
1EH  
7.5ns*1  
-6E, -5C  
-4A  
0
0
0
0
1
0
0
1
1
1
0
1
0
1
0
0
28H  
1EH  
10ns*1  
7.5ns*1  
Internal read to precharge command  
delay (tRTP)  
38  
39  
40  
Memory analysis probe characteristics 0  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
00H  
00H  
TBD  
Extension of Byte 41 and 42  
0
0
0
0
1
0
Undefined  
Active command period (tRC)  
-6E, -5C  
41  
0
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
3CH  
37H  
69H  
80H  
18H  
60ns*1  
55ns*1  
105ns*1  
8ns*1  
-4A  
Auto refresh to active/  
42  
43  
44  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew  
-6E  
0.24ns*1  
-5C  
-4A  
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
1EH  
23H  
0.30ns*1  
0.35ns*1  
Data hold skew (tQHS)  
-6E  
45  
0
0
1
0
0
0
1
0
22H  
0.34ns*1  
-5C  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
0
0
0
1
0
0
1
1
0
28H  
2DH  
0FH  
00H  
0.40ns*1  
0.45ns*1  
15µs  
-4A  
46  
PLL relock time  
47 to 61  
Data Sheet E0795E20 (Ver. 2.0)  
6
1...3456789...23

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与EBE10RD4AGFA-5C-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBE10RD4AGFA-6E-E ELPIDA 1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 1 Rank)

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EBE10RD4AJFA ELPIDA 1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE10RD4AJFA-4A-E ELPIDA 1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE10RD4AJFA-6E-E ELPIDA 1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE10RE8ACFA-4A-E ELPIDA DDR DRAM Module, 128MX72, 0.6ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

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