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EBE10RD4AEFA-6 PDF预览

EBE10RD4AEFA-6

更新时间： 2024-02-03 18:42:18
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
22页 190K
描述
1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE10RD4AEFA-6 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM,
针数：240Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84Is Samacsys：N
访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间：0.45 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-XDMA-N240
内存密度：9663676416 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：72功能数量：1
端口数量：1端子数量：240
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：组织：128MX72
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EBE10RD4AEFA-6 数据手册

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EBE10RD4AEFA-6  
Serial PD Matrix*1  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments  
Number of bytes utilized by module  
manufacturer  
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
80H  
08H  
128 bytes  
256 bytes  
Total number of bytes in serial PD  
device  
2
Memory type  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
08H  
0EH  
0BH  
60H  
48H  
00H  
05H  
30H  
45H  
02H  
82H  
04H  
04H  
00H  
DDR2 SDRAM  
3
Number of row address  
Number of column address  
Number of DIMM ranks  
Module data width  
14  
4
11  
5
1
6
72  
7
Module data width continuation  
0
8
Voltage interface level of this assembly 0  
SSTL 1.8V  
3.0ns*1  
0.45ns*1  
ECC  
7.8µs  
× 4  
9
DDR SDRAM cycle time, CL = 5  
SDRAM access from clock (tAC)  
DIMM configuration type  
Refresh rate/type  
0
0
0
1
0
0
0
10  
11  
12  
13  
14  
15  
Primary SDRAM width  
Error checking SDRAM width  
Reserved  
× 4  
0
SDRAM device attributes:  
Burst length supported  
16  
17  
18  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0CH  
04H  
38H  
4,8  
SDRAM device attributes: Number of  
banks on SDRAM device  
4
SDRAM device attributes:  
/CAS latency  
3, 4, 5  
19  
20  
21  
DIMM Mechanical Characteristics  
DIMM type information  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
01H  
01H  
00H  
4.00mm max.  
Registered  
Normal  
SDRAM module attributes  
Weak Driver 50Ω  
ODT Support  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
SDRAM device attributes: General  
Minimum clock cycle time at CL = 4  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
1
1
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
1
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
0
03H  
3DH  
50H  
50H  
60H  
3CH  
1EH  
3CH  
2DH  
01H  
20H  
3.75ns*1  
0.5ns*1  
5.0ns*1  
0.6ns*1  
15ns  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = 4  
Minimum clock cycle time at CL = 3  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = 3  
Minimum row precharge time (tRP)  
Minimum row active to row active delay  
(tRRD)  
7.5ns  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
15ns  
Minimum active to precharge time  
(tRAS)  
45ns  
Module rank density  
1GB  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
0.20ns*1  
Address and command hold time after  
clock (tIH)  
33  
34  
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
28H  
10H  
0.28ns*1  
0.10ns*1  
Data input setup time before clock  
(tDS)  
Data Sheet E0740E11 (Ver. 1.1)  
5
12345678...22

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与EBE10RD4AEFA-6相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBE10RD4AEFA-6E-E ELPIDA 1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE10RD4AGFA ELPIDA 1GB Registered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 1 Rank)

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