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EBD25UC8AMFA-5B-E

更新时间： 2024-01-03 08:52:58

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
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18页	147K
描述
DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, DIMM-184

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EBD25UC8AMFA-5B-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM,
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	JESD-609代码：	e4
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Gold (Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	50	Base Number Matches：	1

EBD25UC8AMFA-5B-E 数据手册

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EBD25UC8AMFA-5

DC Characteristics 1 (TA = 0 to +70°C, VDD = 2.6V 0.1V, VSS = 0V)

Parameter

Symbol

IDD0

Grade

max.

840

Unit

Test condition

Notes

1, 2, 9

CKE ≥ VIH,

tRC = tRC (min.)

Operating current (ACTV-PRE)

CKE ≥ VIH, BL = 4,

CL = 3,

tRC = tRC (min.)

Operating current

(ACTV-READ-PRE)

IDD1

1000

1, 2, 5

Idle power down standby current

IDD2P

IDD2F

CKE ≤ VIL

CKE ≥ VIH, /CS ≥ VIH

DQ, DQS, DM = VREF

Floating idle

Standby current

Quiet idle

280

4, 5

CKE ≥ VIH, /CS ≥ VIH

DQ, DQS, DM = VREF

IDD2Q

IDD3P

IDD3N

IDD4R

IDD4W

IDD5

280

4, 10

Standby current

Active power down

standby current

160

CKE ≤ VIL

CKE ≥ VIH, /CS ≥ VIH

tRAS = tRAS (max.)

CKE ≥ VIH, BL = 2,

CL = 3

Active standby current

440

3, 5, 6

1, 2, 5, 6

Operating current

(Burst read operation)

1520

1200

Operating current

(Burst write operation)

CKE ≥ VIH, BL = 2,

CL = 3

tRFC = tRFC (min.),

Input ≤ VIL or ≥ VIH

Input ≥ VDD – 0.2 V

Input ≤ 0.2 V

Auto refresh current

Self refresh current

IDD6

Operating current

(4 banks interleaving)

IDD7A

2320

BL = 4

5, 6, 7

Notes: 1. These IDD data are measured under condition that DQ pins are not connected.

2. One bank operation.

3. One bank active.

4. All banks idle.

5. Command/Address transition once per one cycle.

6. DQ, DM and DQS transition twice per one cycle.

7. 4 banks active. Only one bank is running at tRC = tRC (min.)

8. The IDD data on this table are measured with regard to tCK = tCK (min.) in general.

9. Command/Address transition once per one every two clock cycles.

10. Command/Address stable at ≥ VIH or ≤ VIL.

DC Characteristics 2 (TA = 0 to +70°C, VDD, VDDQ = 2.6V 0.1V, VSS = 0V)

Parameter

Symbol

ILI

min.

–16

–5

max.

Unit

µA

Test condition

Notes

Input leakage current

Output leakage current

Output high current

Output low current

VDD ≥ VIN ≥ VSS

VDD ≥ VOUT ≥ VSS

VOUT = 1.95V

ILO

µA

IOH

IOL

–16.2

16.2

—

VOUT = 0.35V

Note: 1. DDR SDRAM component specification.

Preliminary Data Sheet E0453E10 (Ver. 1.0)

1...7 8 91011 12 13...18

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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