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EBD11RD8ADFA-7B PDF预览

EBD11RD8ADFA-7B

更新时间： 2024-02-20 15:10:00
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 160K
描述
1GB Registered DDR SDRAM DIMM

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EBD11RD8ADFA-7B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM,
针数：184Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.75 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-XDMA-N184JESD-609代码：e4
内存密度：9663676416 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：72功能数量：1
端口数量：1端子数量：184
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128MX72
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Gold (Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：50Base Number Matches：1

EBD11RD8ADFA-7B 数据手册

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EBD11RD8ADFA  
Byte No. Function described  
Minimum row active to row active  
delay (tRRD)  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value  
Comments  
12ns  
28  
29  
30  
0
0
1
1
0
0
0
0
30H  
-6B  
-7A, -7B  
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
3CH  
48H  
50H  
15ns  
18ns  
20ns  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
-6B  
-7A, -7B  
Minimum active to precharge time  
(tRAS)  
-6B  
0
0
1
0
1
0
1
0
2AH  
42ns  
-7A, -7B  
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
0
2DH  
80H  
45ns  
2 banks  
512MB  
31  
32  
Module rank density  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
-6B  
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
75H  
90H  
75H  
90H  
45H  
0.75ns*3  
0.9ns*3  
-7A, -7B  
Address and command hold time after  
clock (tIH)  
-6B  
33  
0.75ns*3  
0.9ns*3  
-7A, -7B  
Data input setup time before clock  
(tDS)  
-6B  
34  
35  
0.45ns*3  
-7A, -7B  
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
1
50H  
45H  
0.5ns*3  
Data input hold time after clock (tDH)  
-6B  
0.45ns*3  
-7A, -7B  
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
50H  
00H  
0.5ns*3  
36 to 40  
41  
Superset information  
Future use  
Active command period (tRC)  
-6B  
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
0
0
0
1
3CH  
41H  
60ns*3  
65ns*3  
-7A, -7B  
Auto refresh to active/  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
-6B  
42  
0
1
0
0
1
0
0
0
48H  
72ns*3  
-7A, -7B  
0
0
1
0
0
1
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
4BH  
30H  
75ns*3  
12ns*3  
43  
44  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew  
-6B  
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
2DH  
32H  
55H  
0.45ns*3  
0.5ns*3  
-7A, -7B  
Data hold skew (tQHS)  
-6B  
45  
0.55ns*3  
-7A, -7B  
0
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
75H  
00H  
00H  
0.75ns*3  
Future use  
Initial  
46 to 61  
62  
Superset information  
SPD revision  
Checksum for bytes 0 to 62  
-6B  
63  
0
1
0
1
1
0
1
0
5AH  
90  
-7A  
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
1
1
1
0
1
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
0
11H  
3CH  
7FH  
FEH  
00H  
17  
60  
-7B  
64 to 65  
66  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Manufacturer’s JEDEC ID code  
Elpida Memory  
67 to 71  
Preliminary Data Sheet E0441E10 (Ver. 1.0)  
6
1...3456789...19

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与EBD11RD8ADFA-7B相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBD11RD8ADFA-7B-E ELPIDA DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

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EBD11UD8ABDA ELPIDA 1GB DDR SDRAM SO DIMM

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EBD11UD8ABDA-6B ELPIDA 1GB DDR SDRAM SO DIMM

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EBD11UD8ABDA-7A ELPIDA 1GB DDR SDRAM SO DIMM

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