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EBD11ED8ADFB-5

更新时间: 2024-01-06 07:04:59
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
19页 183K
描述
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 2 Ranks)

EBD11ED8ADFB-5 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM,
针数:184Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-XDMA-N184
JESD-609代码:e4内存密度:9663676416 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:184字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128MX72封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Gold (Au)端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:50
Base Number Matches:1

EBD11ED8ADFB-5 数据手册

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EBD11ED8ADFB-5  
Block Diagram  
/CS1  
/CS0  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
DM0/DQS9  
DQS0  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
8
8
8
8
8
8
8
8
DQ0 to DQ7  
DQS1  
U1  
U10  
RS  
RS  
RS  
DM1/DQS10  
DM2/DQS11  
DM3/DQS12  
DM4/DQS13  
DM5/DQS14  
DM6/DQS15  
DM7/DQS16  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQ8 to DQ15  
DQS2  
U11  
U2  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
RS  
DQ16 to DQ23  
DQS3  
U3  
U12  
RS  
RS  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQ24 to DQ31  
DQS4  
U13  
U4  
RS  
RS  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQ32 to DQ39  
DQS5  
U14  
U5  
RS  
RS  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQ40 to DQ47  
DQS6  
U6  
U15  
RS  
RS  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQ48 to DQ55  
DQS7  
U16  
U7  
RS  
RS  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQ56 to DQ63  
U8  
U17  
RS  
RS  
RS  
DM8/DQS17  
DQS8  
DQS  
DQ  
/CS DM  
DQS  
DQ  
/CS DM  
8
CB0 to CB7  
U9  
U18  
3.3Ω  
A0 to A12 (U1 to U18)  
BA0, BA1 (U1 to U18)  
/RAS (U1 to U18)  
/CAS (U1 to U18)  
/WE (U1 to U18)  
* U1 to U18: 512M bits DDR SDRAM  
U20: 2k bits EEPROM  
RS: 22Ω  
A0 to A12  
BA0, BA1  
/RAS  
3.3Ω  
3.3Ω  
3.3Ω  
3.3Ω  
VDD  
VREF  
VSS  
U1 to U18  
/CAS  
/WE  
U1 to U18  
U1 to U18  
VDDID  
open  
CKE0  
CKE1  
CKE (U1, U3, U6, U8, U9, U11, U13, U14, U16)  
CKE (U2, U4, U5, U7, U10, U12, U15, U17, U18)  
Clock wiring  
Serial PD  
SCL  
Clock input DDR SDRAMS  
SCL  
SDA  
SDA  
CK0, /CK0  
CK1, /CK1  
CK2, /CK2  
6DRAM loads  
6DRAM loads  
6DRAM loads  
U20  
A0  
A1  
A2  
Note: Wire per Clock loading table/Wiring diagrams.  
SA0 SA1 SA2  
Notes:  
1. The SDA pull-up resistor is required due to  
the open-drain/open-collector output.  
2. The SCL pull-up resistor is recommended  
because of the normal SCL line inacitve  
"high" state.  
Data Sheet E0408E30 (Ver. 3.0)  
8

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBD11ED8ADFB-5B ELPIDA 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 2 Ranks)

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EBD11ED8ADFB-5B-E ELPIDA DDR DRAM Module, 128MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184

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