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EBD11ED8ABFA-7A

更新时间： 2024-02-04 23:20:49
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 192K
描述
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

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EBD11ED8ABFA-7A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM184
针数：184Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.35Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.75 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N184
内存密度：9663676416 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：72湿度敏感等级：1
功能数量：1端口数量：1
端子数量：184字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM184封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
子类别：DRAMs最大压摆率：4.86 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EBD11ED8ABFA-7A 数据手册

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EBD10RD4ABFA  
Serial PD Matrix*1  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments  
Number of bytes utilized by module  
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
80H  
08H  
128  
manufacturer  
Total number of bytes in serial PD  
device  
256 byte  
2
3
4
5
6
7
8
Memory type  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
07H  
0DH  
0CH  
01H  
48H  
00H  
04H  
SDRAM DDR  
Number of row address  
Number of column address  
Number of DIMM ranks  
Module data width  
13  
12  
1
72 bits  
0 (+)  
Module data width continuation  
Voltage interface level of this assembly 0  
SSTL 2.5V  
DDR SDRAM cycle time, CL = X  
9
0
1
1
1
1
1
1
0
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
60H  
75H  
70H  
CL = 2.5*3  
-6B  
-7A, -7B  
SDRAM access from clock (tAC)  
-6B  
0
0
10  
0.70ns*3  
-7A, -7B  
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
1
0
0
1
1
0
75H  
02H  
0.75ns*3  
ECC  
7.8 µs  
Self refresh  
11  
12  
DIMM configuration type  
Refresh rate/type  
1
0
0
0
0
0
1
0
82H  
13  
14  
Primary SDRAM width  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
04H  
04H  
× 4  
Error checking SDRAM width  
× 4  
SDRAM device attributes:  
Minimum clock delay back-to-back  
column access  
15  
0
0
0
0
0
0
0
1
01H  
1 CLK  
SDRAM device attributes:  
16  
17  
18  
19  
20  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0EH  
04H  
0CH  
01H  
02H  
2, 4, 8  
Burst length supported  
SDRAM device attributes: Number of  
banks on SDRAM device  
SDRAM device attributes:  
/CAS latency  
SDRAM device attributes:  
/CS latency  
SDRAM device attributes:  
/WE latency  
4
2/2.5  
0
1
21  
22  
SDRAM module attributes  
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
26H  
C0H  
Registered  
± 0.2V  
SDRAM device attributes: General  
Minimum clock cycle time at CLX - 0.5  
-6B, -7A  
-7B  
23  
0
1
1
0
1
1
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
75H  
A0H  
CL = 2*3  
Maximum data access time (tAC) from  
24  
clock at CLX - 0.5  
-6B  
0
1
1
1
0
0
0
0
70H  
0.70ns*3  
0.75ns*3  
-7A, -7B  
0
0
1
0
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
75H  
00H  
25  
26  
Minimum clock cycle time at CLX - 1  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CLX - 1  
0
0
0
0
0
0
0
0
00H  
Minimum row precharge time (tRP)  
-6B  
-7A, -7B  
27  
0
0
1
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
48H  
50H  
18ns  
20ns  
Preliminary Data Sheet E0274E40 (Ver. 4.0)  
5
12345678...19

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与EBD11ED8ABFA-7A相关器件

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EBD11ED8ABFA-7B ELPIDA 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM

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EBD11ED8ABFB ELPIDA 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (1

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EBD11ED8ABFB-6B ELPIDA 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (1

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EBD11ED8ABFB-7A ELPIDA 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM EBD11ED8ABFB (1

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EBD11ED8ADFB ELPIDA 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM (128M words x72 bits, 2 Ranks)

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