5秒后页面跳转
E4320Z1TN1S PDF预览

E4320Z1TN1S

更新时间: 2024-01-19 01:12:24
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 21K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,

E4320Z1TN1S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-XXMA-X
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.82配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XXMA-X元件数量:6
相数:3封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

E4320Z1TN1S 数据手册

  

与E4320Z1TN1S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
E432F1001F AMPHENOL

获取价格

Interconnection Device,
E432F1001I AMPHENOL

获取价格

Interconnection Device,
E432F1001M AMPHENOL

获取价格

Interconnection Device,
E432F1003F AMPHENOL

获取价格

Interconnection Device
E432F1003I AMPHENOL

获取价格

Interconnection Device,
E432F1003M AMPHENOL

获取价格

Interconnection Device
E432F2001F AMPHENOL

获取价格

Interconnection Device
E432F2001I AMPHENOL

获取价格

Interconnection Device,
E432F2003F AMPHENOL

获取价格

Interconnection Device
E432F2003I AMPHENOL

获取价格

Interconnection Device