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E20160C1TBC1SE3

更新时间: 2024-10-02 17:56:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 21K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

E20160C1TBC1SE3 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
Is Samacsys:N应用:POWER
配置:COMPLEX二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE相数:1
Base Number Matches:1

E20160C1TBC1SE3 数据手册

  

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