Datasheet > DZ1070N

DZ1070N

更新时间： 2024-01-29 18:07:25

品牌	Logo	应用领域
EUPEC		整流二极管
页数	文件大小	规格书
10页	223K
描述
Rectifier Diode Module

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DZ1070N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DZ1070N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kenndaten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

_PerE_iodil_se_chek_St_pr_itzi_es_nsc_peh_rrse_panE_nuni_ggenschaften _{T = -40°C... T}

1800

2200

2600

1900

2300

2700

2000 V

2400 V

2800 V

V_RRM

vj max

repetitive peak reverse voltages

Thermische Eigenschaften

2100 V

2500 V

2900 V

Stoßspitzensperrspannung

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

non-repetitive peak reverse voltage

1700 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

1070 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100 °C

41.000 A

35.000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

8.405.000 A²s

6.125.000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

1,52 V

0,8 V

max.

T_vj= T_{vj max}, i_F= 3400 A

T_vj= T_{vj max}

v_F

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

0,17 mΩ

150 mA

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V_ISOL

3,6

3,0

insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R_thJC

pro Modul / per Module, DC

max. 0,0450 °C/W

max. 0,0435 °C/W

pro Modul / per Module

max.

0,01 °C/W

160

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

- 40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

1) 2800V auf Anfrage/ 2800V on request

C. Drilling

date of publication: 06.05.03

prepared by:

revision:

approved by: M. Leifeld

BIP AC / 00-09-28, K.-A. Rüther

A21/00

Seite/page

1/9

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与DZ1070N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DZ1070N18K	INFINEON	获取价格	Single Rectifier Diode 70 mm Power Block 1800 V, 1070 A module with high reliable?pressure
DZ1070N20K	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1070A, 2000V V(RRM), Silicon, MODULE-2
DZ1070N22K	INFINEON	获取价格	Single Rectifier Diode 70 mm Power Block 2200 V, 1070 A module with high reliable?pressure
DZ1070N24K	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1070A, 2400V V(RRM), Silicon, MODULE-2
DZ1070N26K	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1070A, 2600V V(RRM), Silicon, MODULE-2
DZ1070N26KHPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1070A, 2600V V(RRM), Silicon, MODULE-2
DZ1070N28K	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1070A, 2800V V(RRM), Silicon, MODULE-2
DZ1070N28KHPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1070A, 2800V V(RRM), Silicon, MODULE-2
DZ-10G-1A	OMRON	获取价格	Special-purpose Basic Switch
DZ-10G-1B	OMRON	获取价格	Special-purpose Basic Switch

与DZ1070N相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

2
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

2
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

5
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DZ1070N

DZ1070N 数据手册

与DZ1070N相关器件

与DZ1070N相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DZ1070N

DZ1070N 数据手册

与DZ1070N相关器件

与DZ1070N相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？