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DWE800CMD0

更新时间: 2024-01-31 15:01:42
品牌 Logo 应用领域
精工 - SEIKO 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 264K
描述
4MX18 MULTI DEVICE DRAM CARD, 80ns, XMA50

DWE800CMD0 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESHJESD-30 代码:X-XXMA-X50
内存密度:75497472 bit内存集成电路类型:DRAM CARD
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1端子数量:50
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:50 °C
最低工作温度:组织:4MX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
Base Number Matches:1

DWE800CMD0 数据手册

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