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DWEP25-06S

更新时间： 2024-01-23 12:46:40
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
1页 91K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, Silicon, DIE-1

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DWEP25-06S 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：DIE包装说明：S-XUUC-N1
针数：1Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.40
风险等级：5.47应用：FAST RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-XUUC-N1
元件数量：1相数：1
端子数量：1最大输出电流：30 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DWEP25-06S 数据手册

  
Fast Recovery Epitaxial Diodes  
FRED Chips  
Type  
VRRM  
min  
IR  
TJ = 25°C  
VR = 0.8 • VRRM  
µA  
IR  
IR  
IF(AV)M  
¬
@
TC  
°C  
RthJC  
(TO-247)  
TJ = 25°C  
VR = VRRM  
mA  
TJ = 125°C  
VR = 0.8 • VRRM  
mA  
rectangular  
d = 0.5  
A
TVJM = 150°C  
V
K/W  
DWEP 27 - 02  
DWEP 37 - 02  
DWEP 77 - 02  
200  
100  
150  
500  
0.2  
0.35  
0.65  
5
11  
20  
54  
91  
244  
85  
70  
70  
1.0  
0.8  
0.26  
DWEP  
8 - 06  
600  
12  
10  
25  
50  
50  
100  
500  
750  
0.025  
0.02  
0.05  
0.1  
0.1  
0.2  
1.5  
1.5  
3
7
7
14  
17  
20  
TBD  
8
12  
30  
30  
60  
80  
162  
-
115  
100  
85  
85  
70  
-
DWEP 12 - 06  
DWEP 15 - 06  
DWEP 23 - 06  
DWEP 25 - 06  
DWEP 35 - 06  
DWEP 55 - 06  
DWEP 75 - 06  
2.5  
2.0  
1.0  
1.0  
0.8  
0.4  
0.26  
3.0  
5.0  
70  
70  
DWEP  
3 - 10  
1000  
1200  
75  
150  
250  
250  
500  
500  
750  
0.5  
1.0  
1.5  
1.5  
3.0  
3.0  
5.0  
2
4
7
TBD  
12  
30  
30  
60  
-
100  
85  
85  
60  
-
DWEP 10 - 10  
DWEP 18 - 10  
DWEP 20 - 10  
DWEP 30 - 10  
DWEP 50 - 10  
DWEP 70 - 10  
1.6  
0.9  
0.9  
0.7  
0.4  
0.26  
7
14  
17  
20  
82  
129  
70  
70  
DWEP  
DWEP  
6 - 12  
9 - 12  
100  
150  
250  
250  
500  
500  
750  
0.15  
1.0  
1.5  
1.5  
3.0  
2.1  
3.4  
2
4
7
TBD  
12  
30  
30  
60  
-
100  
85  
85  
60  
-
1.6  
0.9  
0.9  
0.7  
0.4  
0.26  
DWEP 17 - 12  
DWEP 19 - 12  
DWEP 29 - 12  
DWEP 49 - 12  
DWEP 69 - 12  
7
14  
17  
22  
77  
123  
70  
70  
¬ Specified values refer to chip only, assembly parts are not included.  
­ Specified values can only be obtained in void-free assemblies according to our assembly recommendations.  
Dimensions in mm  
Type  
Si-thick.  
mm  
A
mm  
B
mm  
C
mm  
D
mm  
E
mm  
Anode metalization Al *  
Glass  
DWEP 27 - 02  
DWEP 37 - 02  
DWEP 77 - 02  
0.390  
4.45  
6.20  
8.31  
4.45  
6.20  
7.22  
3.45  
5.20  
7.31  
3.45  
5.20  
6.22  
0.200  
0.200  
0.200  
DWEP 8 - 06  
DWEP 12 - 06  
DWEP 15 - 06  
DWEP 23 - 06  
DWEP 25 - 06  
DWEP 35 - 06  
DWEP 55 - 06  
DWEP 75 - 06  
0.415  
3.60  
2.40  
3.25  
5.50  
4.45  
6.20  
8.65  
8.91  
1.80  
2.40  
3.25  
3.50  
4.45  
6.20  
4.95  
7.22  
2.70  
1.46  
2.25  
4.50  
3.45  
5.20  
7.65  
7.91  
0.30  
1.46  
2.25  
2.50  
3.45  
5.20  
3.95  
6.22  
0.250  
0.230  
0.200  
Cathode metalization Ti/Ni/Ag  
* alternative on request Ti/Ni/Ag  
Example: DWEP 25-06S  
S = solderable topside  
DWEP 3 - 10  
DWEP 10 - 10  
DWEP 18 - 10  
DWEP 20 - 10  
DWEP 30 - 10  
DWEP 50 - 10  
DWEP 70 - 10  
0.455  
0.475  
±0.05  
3.60  
3.25  
5.50  
4.45  
6.20  
8.65  
8.91  
1.80  
3.25  
3.50  
4.45  
6.20  
4.95  
7.22  
2.70  
2.25  
4.50  
3.45  
5.20  
7.65  
7.91  
0.90  
2.25  
2.50  
3.45  
5.20  
3.95  
6.22  
0.250  
0.200  
DWEP 6 - 12  
DWEP 9 - 12  
DWEP 17 - 12  
DWEP 19 - 12  
DWEP 29 - 12  
DWEP 49 - 12  
DWEP 69 - 12  
2.40  
3.25  
5.50  
4.45  
6.20  
8.65  
8.91  
2.40  
3.25  
3.50  
4.45  
6.20  
4.95  
7.22  
1.46  
2.25  
4.50  
3.45  
5.20  
7.65  
7.91  
1.46  
2.25  
2.50  
3.45  
5.20  
3.95  
6.22  
0.230  
0.200  
E
C
A
Tolerance  
-0.1  
-0.1  
+0.1  
+0.1  
+0.1  
© 2000 IXYS All rights reserved  
J - 12  
1

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