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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTC144TE-TP
DTC144TE-TP PDF预览

DTC144TE-TP

更新时间： 2024-01-21 18:54:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 114K
描述
NPN Digital Transistor

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DTC144TE-TP 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.57
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.46
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：56
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTC144TE-TP 数据手册

 浏览型号DTC144TE-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTC144TE-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
DTC144TE  
Micro Commercial Components  
Features  
xꢀ Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors (see equivalent circuit)  
xꢀ The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects  
xꢀ Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
NPN Digital Transistor  
SOT-523  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
A
Symbol  
VCBO  
Value  
50  
Unit  
V
D
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base voltage  
VCEO  
50  
V
3
1. Base  
VEBO  
5
V
C
B
2. Emitter  
1
2
3. Collector  
Collector Current-Continuous  
IC  
100  
mA  
Collector Dissipation  
PC  
150  
mW  
E
к
к
Junction Temperature  
TJ  
150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-55~150  
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
H
G
J
K
Electrical Characteristics  
DIMENSIONS  
Sym  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=50uA, IE=0)  
Min  
Typ  
Max Unit  
INCHES  
MAX  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
G
H
J
K
MIN  
MIN  
1.50  
0.75  
1.45  
MAX  
1.70  
0.85  
1.75  
NOTE  
V(BR)CBO  
50  
---  
---  
V
.059  
.030  
.057  
.067  
.033  
.069  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mA, IB=0)  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
50  
5
---  
---  
---  
V
.020 Nominal  
0.50Nominal  
0.90  
.000  
.70  
.100  
.25  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=50uA, IC=0)  
.035  
.000  
.028  
.004  
.010  
.043  
.004  
.031  
.008  
.014  
1.10  
---  
V
.100  
0.80  
.200  
.35  
Collector Cut-off Current  
(VCB=50V, IE=0)  
---  
---  
0.5  
0.5  
600  
uA  
uA  
---  
Emitter Cut-off Current  
(VEB=4V, IC=0)  
IEBO  
---  
---  
DC Current Gain  
(VCE=5V, IC=1mA)  
hFE  
100  
300  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mA, IB=1mA)  
VCE(sat)  
R1  
---  
32.9  
---  
---  
47  
0.3  
61.1  
---  
V
Input resistance  
Transition Frequency  
(VCE=10V, IC=-5mA, f=100MHz)  
K=  
MHz  
fT  
250  
*Marking: 06  
www.mccsemi .com  
1 of 3  
Revision: 3  
2009/02/11  
123

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DTC144TE-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTC144TETL ROHM

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
DTC144TE ROHM

功能相似

 Digital transistors (built in resistor)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC144TETR ROHM

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 		暂无描述
DTC144TF ETC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTR, 3
DTC144TG-AE3-R UTC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23VAR

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