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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTA123JCA-TP-HF
DTA123JCA-TP-HF PDF预览

DTA123JCA-TP-HF

更新时间： 2024-01-30 23:40:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 236K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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DTA123JCA-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.82
其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：33JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

DTA123JCA-TP-HF 数据手册

 浏览型号DTA123JCA-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTA123JCA-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
DTA123YUA  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisure Sensitivity Level 1  
PNP  
•
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors  
Digital Transistors  
•
•
The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects.  
Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
SOT-323  
D
Absolute maximum ratings @ 25R  
A
Typ  
-50  
---  
Max  
---  
Unit  
V
Symbol  
VCC  
Parameter  
Supply voltage  
Min  
---  
-12  
3
VIN  
Input voltage  
V
5
1: IN  
2: GND  
3: OUT  
IO  
IC(MAX)  
Pd  
Tj  
-100  
-100  
C
B
---  
mA  
Output current  
---  
---  
---  
mW  
?
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
---  
---  
200  
150  
---  
1
2
F
E
150  
?
Tstg  
-55  
H
G
J
Electrical Characteristics @ 25R  
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
IO(off)  
GI  
R1  
Parameter  
Min  
---  
-3  
---  
---  
---  
33  
1.54  
3.6  
Typ  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
2.2  
4.5  
Max  
-0.3  
---  
Unit  
V
V
K
Input voltage (VCC=-5V, IO=-100IA)  
DIMENSIONS  
(VO=-0.3V, IO=-20mA)  
Output voltage (IO/II=-10mA/-0.5mA  
Input current (VI=-5V)  
-0.3  
V
INCHES  
MAX  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.079  
MIN  
1.80  
1.15  
2.00  
MAX  
2.20  
1.35  
2.20  
NOTE  
-3.8  
-0.5  
---  
2.86  
5.5  
mA  
.087  
.053  
.087  
Output current (VCC=-50V, VI=0)  
DC current gain (VO=-5V, IO=-10mA)  
Input resistance  
Resistance ratio  
Transition frequency  
IA  
K=  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
.30  
.000  
.90  
.100  
.30  
.047  
.012  
.000  
.035  
.004  
.012  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
R2/R1  
F
G
H
J
fT  
---  
250  
---  
MHz  
(VCE=-10V, IE=5mA, f=100MHz)  
K
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
*Marking: 52  
0.90  
mm  
1.90  
0.65  
0.65  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/06/03  
123

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