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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.57 |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 24 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTA114WKAT246 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| DTA114WKT146 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| DTA114WL | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
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| DTA114WLA | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
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| DTA114WLATL2 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3 |
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| DTA114WLATL3 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3 |
|
| DTA114WLATL4 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3 |
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| DTA114WM | ROHM |
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本产品是电阻内置型晶体管。由于内置了偏压用电阻，因此输入侧无需外接电阻即可构成逆变电路。 |
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| DTA114WM | BL Galaxy Electrical |
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50V,100mA,PNP Bipolar Digital Transistor |
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| DTA114WN3 | CYSTEKEC |
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NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) |
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