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DT131N12KOC

更新时间： 2024-09-26 14:41:51

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	453K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 131000mA I(T), 1200V V(RRM)

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DT131N12KOC 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	1.4 V
快速连接描述：	G-GR	螺丝端子的描述：	A-K-AK
最大维持电流：	200 mA	最大漏电流：	25 mA
通态非重复峰值电流：	3600 A	最大通态电压：	1.48 V
最大通态电流：	131000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	Base Number Matches：	1

DT131N12KOC 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT131N

Phase Control Thyristor Module

TT131N

TD131N

DT131N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200

1300

1400 V

1600 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM,V_RRM

1400 V

1600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1500 V

1700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

220 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

131 A

140 A

Dauergrenzstrom

T_C= 85°C

T_C= 81°C

I_TAVM

average on-state current

3600 A

3200 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

I_TSM

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

64800 A²s

51200 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

critical rate of rise of off-state voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

1,48 V

0,85 V

1,5 mΩ

150 mA

1,4 V

max.

T_vj= T_{vj max}, i_T= 350 A

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

r_T

max.

Zündstrom

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

5,0 mA

2,5 mA

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,2 V

200 mA

620 mA

25 mA

3 µs

Haltestrom

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

holding current

Einraststrom

I_L

latching current

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

t_gd

gate controlled delay time

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication:

revision:

15.05.02

prepared by:

approved by: J. Novotny

A 04/02

1/12

BIP AC 15.05.2002; Drilling

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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DT131N16KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 220A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-
DT131N16KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 131000mA I(T), 1600V V(RRM)
DT1321	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-5
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