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DSC2501T

更新时间： 2024-10-02 14:49:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 495K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B-B, 3 PIN

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DSC2501T 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.7Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

DSC2501T 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DSC2501  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For low frequency amplification  
Package  
ꢀCode  
Features  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
Eco-friendly Halogen-free package  
Mini3-G3-B-B  
ꢀPin Name  
1. Base  
Packaging  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
2. Emitter  
3. Collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
Marking Symbol: E3  
25  
20  
V
12  
V
0.5  
A
Peak collector current  
ICP  
1
200  
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
mW  
°C  
°C  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
25  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
VCBO IC = 10 mA, IE = 0  
VCEO IC = 1 mA, IB = 0  
VEBO IE = 10 mA, IC = 0  
20  
V
12  
V
ICBO  
hFE  
VCB = 25 V, IE = 0  
100  
800  
0.40  
1.2  
nA  
V
2
Forward current transfer ratio *  
VCE = 2 V, IC = 0.5A  
200  
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = 0.5A, IB = 20 mA  
VBE(sat) IC = 0.5A, IB = 50 mA  
0.18  
1
Base-emitter saturation voltage *  
V
Transition frequency  
fT  
VCE = 10 V, IC = 50 mA  
150  
6
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
pF  
(Common base, input open circuited)  
3
*
ON resistance  
Ron  
1.0  
Ω
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Code  
Rank  
R
R
S
S
T
T
0
No-rank  
200 to 800  
E3  
hFE  
200 to 350  
E3R  
300 to 500  
E3S  
400 to 800  
E3T  
Marking Symbol  
Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.  
3: Ron measurement circuit  
*
1 kΩ  
f = 1 kHz  
V = 0.3 V  
VB VV VA  
VB ×  
1000  
Ron  
=
(Ω)  
VA − VB  
Publication date: June 2010  
ZJC00467AED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSC2501T0L PANASONIC

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