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DS1345WP-100IND+

更新时间： 2024-01-18 09:15:49

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美信 - MAXIM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	194K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34

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DS1345WP-100IND+ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DMA
包装说明：	ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34	针数：	34
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.44
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-XDMA-U34
JESD-609代码：	e3	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	功能数量：	1
端子数量：	34	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	COMMERCIAL	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	J INVERTED
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DS1345WP-100IND+ 数据手册

DS1345W

AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(T_A: See Note 10) (V_CC=3.3V 0.3V)

DS1345W-100

PARAMETER

SYMBOL

UNITS

NOTES

MIN

MAX

Read Cycle Time

Access Time

t_RC

t_ACC

t_OE

t_CO

t_COE

100

to Output Valid

to Output Active

Output High Z

t_OD

from Deselection

Output Hold from

Address Change

Write Cycle Time

Write Pulse Width

Address Setup Time

t_OH

t_WC

t_WP

100

t_AW

t_WR1

t_WR2

t_ODW

t_OEW

t_DS

Write Recovery Time

Output High Z from

Output Active from

Data Setup Time

t_DH1

t_DH2

Data Hold Time

READ CYCLE

SEE NOTE 1

5 of 10

1 2 3 456 7 8...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DS1345WP-150	DALLAS	3.3V 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor	获取价格
DS1345WP-150+	ROCHESTER	128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, DMA34, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34	获取价格
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