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DS08MB200

更新时间： 2024-01-01 18:59:56
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 复用器
页数 文件大小 规格书
15页 431K
描述
双路 800Mbps 2:1/1:2 LVDS 多路复用器/缓冲器

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DS08MB200 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：HVQCCN, LCC48,.27SQ,20针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.25差分输出：YES
驱动器位数：2高电平输入电流最大值：0.00001 A
输入特性：DIFFERENTIAL SCHMITT TRIGGER接口集成电路类型：LINE TRANSCEIVER
接口标准：GENERAL PURPOSEJESD-30 代码：S-XQCC-N48
JESD-609代码：e3长度：7 mm
湿度敏感等级：3功能数量：2
端子数量：48最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出极性：TRUE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：HVQCCN
封装等效代码：LCC48,.27SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
最大接收延迟：2.5 ns接收器位数：2
座面最大高度：0.8 mm子类别：Other Interface ICs
最大压摆率：275 mA最大供电电压：3.6 V
最小供电电压：3 V标称供电电压：3.3 V
电源电压1-最大：3.6 V电源电压1-分钟：3 V
电源电压1-Nom：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大传输延迟：2.5 ns
宽度：7 mm

DS08MB200 数据手册

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DS08MB200  
www.ti.com  
SNLS197D –MAY 2006–REVISED MARCH 2013  
Connection Diagrams  
Top View  
Top View  
12 11 10  
13  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
V
DD  
ENA_1  
ENB_1  
SOA_1+  
SOA_1-  
SOB_1+  
SOB_1-  
SIA_1+  
SIA_1-  
SIB_1+  
SIB_1-  
N/C  
48  
VDD  
ENA_1  
ENB_1  
SOA_1+  
SOA_1-  
SOB_1+  
SOB_1-  
SIA_1+  
SIA_1-  
SIB_1+  
SIB_1-  
N/C  
GND  
GND  
ENL_0  
N/C  
Channel 1  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
GND  
GND  
ENL_0  
N/C  
Channel 0  
V
DD  
VDD  
DAP  
(GND)  
LO_0+  
LO_0-  
LI_0+  
LO_0+  
LO_0-  
LI_0+  
LI_0-  
LI_0-  
MUX_S0  
MUX_S0  
VDD  
N/C  
V
DD  
N/C  
25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36  
Figure 2. WQFN Package  
See Package Number RHS0048A  
DAP = GND  
Figure 3. Directional Signal Paths  
(Refer to pin names for signal polarity)  
TRI-STATE and Powerdown Modes  
The DS08MB200 has output enable control on each of the six onboard LVDS output drivers. This control allows  
each output individually to be placed in a low power TRI-STATE mode while the device remains active, and is  
useful to reduce power consumption on unused channels. In TRI-STATE mode, some outputs may remain active  
while some are in TRI-STATE.  
When all six of the output enables (all drivers on both channels) are deasserted (LOW), then the device enters a  
Powerdown mode that consumes only 0.5mA (typical) of supply current. In this mode, the entire device is  
essentially powered off, including all receiver inputs, output drivers and internal bandgap reference generators.  
When returning to active mode from Powerdown mode, there is a delay until valid data is presented at the  
outputs because of the ramp to power up the internal bandgap reference generators.  
Any single output enable that remains active will hold the device in active mode even if the other five outputs are  
in TRI-STATE.  
When in Powerdown mode, any output enable that becomes active will wake up the device back into active  
mode, even if the other five outputs are in TRI-STATE.  
Input Failsafe Biasing  
External pull up and pull down resistors may be used to provide enough of an offset to enable an input failsafe  
under open-circuit conditions. This configuration ties the positive LVDS input pin to VDD thru a pull up resistor  
and the negative LVDS input pin is tied to GND by a pull down resistor. The pull up and pull down resistors  
should be in the 5kΩ to 15kΩ range to minimize loading and waveform distortion to the driver. Please refer to  
application note SNLA051B AN-1194, “Failsafe Biasing of LVDS Interfaces” for more information.  
Output Characteristics  
The output characteristics of the DS08MB200 have been optimized for point-to-point backplane and cable  
applications, and are not intended for multipoint or multidrop signaling.  
Copyright © 2006–2013, Texas Instruments Incorporated  
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3
Product Folder Links: DS08MB200  
 
1234567...15

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