DP100S

更新时间： 2024-10-01 09:54:39

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可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
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4页	251K
描述
Extremely low collector-to-emitter saturation voltage

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DP100S 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	70
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

DP100S 数据手册

DP100S

PNP Silicon Transistor

Features

• Extremely low collector-to-emitter

saturation voltage

PIN Connection

( V_CE(SAT)= -0.25V Typ. @I_C/I_B=-400mA/-20mA)

• Suitable for low voltage large current drivers

• Complementary pair with DN100S

• Switching Application

SOT-23F

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

P03 □

DP100S

SOT-23F

①

②

①Device Code ② Year&Week Code

Absolute maximum ratings

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

-15

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

-12

-5

-1

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

200

°C

T_j

150

T_stg

-55~150

Electrical Characteristics

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage

Emitter-Base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=-50μA, I_E=0

-15

-12

-5

I_C=-1mA, I_B=0

I_E=-50μA, I_C=0

V_CB=-12V, I_E=0

-0.1

450

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=-5V, I_C=0

h_FE1

V_CE=-1V, I_C=-100mA

V_CE=-1V, I_C=-1A

200

DC current gain

h_FE2

Collector-Emitter saturation voltage

Base-Emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

I_C=-400mA, I_B=-20mA

V_CE=-5V, I_C=-50mA

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

-0.3

-1.2

330

MHz

Collector output capacitance

C_ob

KSD-T5C088-000

12 3 4

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