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DMN3009LFVWQ

更新时间： 2023-12-06 20:11:15

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7页	559K
描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN3009LFVWQ 数据手册

DMN3009LFVWQ

0.008

0.007

0.006

0.005

0.004

0.003

0.002

0.001

1.7

1.4

1.1

0.8

0.5

0.2

I_D=1mA

V_GS=4.5V, I_D=15A

I_D=250µA

V_GS=10V, I_D=30A

-50 -25

75 100 125 150

-50 -25

75 100 125 150

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (℃)

Figure 7. On-Resistance Variation with Temperature

Figure 8. Gate Threshold Variation vs. Junction

Temperature

100000

10000

1000

100

V_GS=0V

150℃

125℃

85℃

25℃

T_A=85℃

T_A=150℃

T_A=25℃

T_A=125℃

T_A=-55℃

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

V_SD, SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current

Figure 10. Typical Drain-Source Leakage Current vs.

Voltage

10000

1000

100

f=1MHz

C_iss

V_DS=15V, I_D=15A

C_oss

C_rss

10 15 20 25 30 35 40 45

Q_g(nC)

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 11. Typical Junction Capacitance

Figure 12. Gate Charge

4 of 7

www.diodes.com

November 2019

DMN3009LFVWQ

Document number: DS41960 Rev. 2 - 2

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