DG202BDJ-E3

更新时间： 2024-01-05 16:53:04

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威世 - VISHAY		复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管输出元件
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Improved Quad CMOS Analog Switches

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DG202BDJ-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP16,.3
针数：	16	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	1.94
模拟集成电路 - 其他类型：	SPST	JESD-30 代码：	R-PDIP-T16
JESD-609代码：	e3	长度：	20.13 mm
湿度敏感等级：	1	负电源电压最大值（Vsup）：	-22 V
负电源电压最小值（Vsup）：	-4.5 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
正常位置：	NO	信道数量：	1
功能数量：	4	端子数量：	16
标称断态隔离度：	90 dB	通态电阻匹配规范：	2 Ω
最大通态电阻 (Ron)：	85 Ω	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出：	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP16,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	12/+-15 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	子类别：	Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup)：	22 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	15 V	表面贴装：	NO
最长断开时间：	200 ns	最长接通时间：	300 ns
切换：	BREAK-BEFORE-MAKE	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

DG202BDJ-E3 数据手册

DG201B/202B

Vishay Siliconix

TEST CIRCUITS

+ 15 V

V+

3 V

0 V

Logic

Input

t < 20 ns

50 %

= + 2 V

3 V

GND

OFF

35 pF

1 kΩ

V-

90 %

Switch

Output

- 15 V

= V

+ r

DS(on)

Figure 2. Switching Time

+ 15 V

V+

+ 15 V

V+

R = 50 Ω

50 Ω

= 50 Ω

0 V, 2.4 V

GND

V-

0 V, 2.4 V

GND

V-

- 15 V

C = RF bypass

Isolation = 20 log

Off Isolation = 20 log

- 15 V

TA L K

Figure 4. Channel-to-Channel Crosstalk

Figure 3. Off Isolation

+ 15 V

ΔV

V+

OFF

3 V

1000 pF

V-

GND

ΔV = measured voltage error due to charge injection

The charge injection in coulombs is Q = C x ΔV

- 15 V

Figure 5. Charge Injection

Document Number: 70037

S-71155–Rev. H, 11-Jun-07

www.vishay.com

1...4 5 678 9 10

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