DG202BAK

更新时间： 2024-02-14 22:42:23

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威世 - VISHAY		复用器开关复用器或开关信号电路
页数	文件大小	规格书
9页	96K
描述
Improved Quad CMOS Analog Switches

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DG202BAK 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CERAMIC, DIP
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
模拟集成电路 - 其他类型：	SPST	JESD-30 代码：	R-CDIP-T
信道数量：	4	功能数量：	1
最大通态电阻 (Ron)：	175 Ω	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	44 V
表面贴装：	NO	最长接通时间：	600 ns
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

DG202BAK 数据手册

DG201B/202B

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (_2C5 UNLESS NOTED)

vs. V and Power Supply Voltages

vs. V and Temperature

DS(on) D

DS(on)

110

100

V+ = 15 V

V– = –15 V

"5 V

125_C

85_C

25_C

"10 V

"15 V

–55_C

"20 V

–15

–10

–5

–20 –16 –12 –8 –4

12 16 20

– Drain Voltage (V)

vs. V and Single Power Supply Voltages

Input Switching Threshold vs. Supply Voltage

DS(on)

250

2.5

225

200

175

150

125

100

V+ = 5 V

1.5

7 V

10 V

12 V

15 V

0.5

– Drain Voltage (V)

V+ Positive Supply (V)

Leakage Currents vs. Analog Voltage

Leakage Currents vs. Temperature

1 nA

100 pA

10 pA

1 pA

V+ = 15 V

V– = –15 V

= "14 V

V+ = 22 V

V– = –22 V

= 25_C

, I

S(off) D(off)

, I

S(off) D(off)

–20

–40

–60

–80

D(on)

–55 –35 –15

85 105 125

–20 –15 –10 –5

Temperature (_C)

Document Number: 70037

S-52433—Rev. G, 06-Sep-99

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

4-5

1 2 3 456 7 8 9

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